CN108735823A 一种二极管及其制作方法 （电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN108735823A

(43)申请公布日2018.11.02

(21)申请号201810571838.4

(22)申请日2018.06.01

(71)申请人电子科技大学

地址611731四川省成都市高新区(西区)

西源大道2006号

(72)发明人张金平邹华罗君轶刘竞秀李泽宏张波

(74)专利代理机构成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232

代理人葛启函

(51)Int.CI.

HO1L29/872(2006.01)

HO1L29/06(2006.01)

HO1L21/329(2006.01)

权利要求书2页说明书10页附图15页

(54)发明名称

一种二极管及其制作方法

(57)摘要

CN108735823A一种二极管器件及其制作方法，属于功率半导体器件技术领域。器件的元胞结构包括金属阴极、N+衬底和N-外延层，N-外延层的顶层两侧具有沟槽结构，沟槽结构自下而上包括P型半导体区和异质半导体；N-外延层的顶层还具有P型体区、N+源区和P+接触区；N+源区、P型体区及部分N-外延层与异质半导体通过沟槽侧壁的介质层相接触，器件表面覆盖有金属阳极。异质半导体、介质层、源区、体区和外延层形成超势垒结构。本发明能够解决现目前PIN二极管器件所存在的正向开启电压大、反向恢复能力差等问题；并且在

CN108735823A

CN108735823A权利要求书1/2页

2

1.一种二极管器件，其元胞结构自下而上包括依次层叠设置的金属阴极(5)、N+宽禁带半导体衬底(4)、N-宽禁带半导体外延层(3)和金属阳极(1);N-宽禁带半导体外延层(3)的顶层两侧具有沟槽结构，所述沟槽结构包括设于沟槽底部的P+宽禁带半导体区(7)和设于沟槽顶部的窄禁带半导体(6),所述P+宽禁带半导体区(7)与窄禁带半导体(6)直接接触；N-宽禁带半导体外延层(3)顶层两侧的沟槽结构之间还具有P型宽禁带半导体体区(11),所述P型宽禁带半导体体区(11)的顶层具有P+宽禁带半导体接触区(10)以及设于P+宽禁带半导体接触区(10)两侧的N+宽禁带半导体源区(9),其特征在于：N+宽禁带半导体源区(9)、P型宽禁带半导体体区(11)及部分N-宽禁带半导体外延层(3)与窄禁带半导体(6)之间通过沟槽侧壁的介质层(8)相接触；窄禁带半导体(6)、介质层(8)、N+宽禁带半导体源区(9)和P+宽禁带半导体接触区(10)的上表面与金属阳极(1)相接触；其中：窄禁带半导体(6)、介质层(8)、N+宽禁带半导体源区(9)、P型宽禁带半导体体区(11)和N-宽禁带半导体外延层(3)构成超势垒结构，窄禁带半导体(6)与N-宽禁带半导体外延层(3)在接触界面形成异质结；P型宽禁带半导体体区(11)与N-宽禁带半导体外延层(3)以及P+宽禁带半导体区(7)与N-宽禁带半导体外延层(3)分别形成PN结。

2.根据权利要求1所述的一种二极管器件，其特征在于：所述P+宽禁带半导体区(7)的宽度大于所述沟槽的宽度。

3.根据权利要求1所述的一种二极管器件，其特征在于：所述窄禁带半导体(6)中还具有介质层(8)将窄禁带半导体(6)分隔形成相互独立的第一窄禁带半导体和第二窄禁带半导体，第一窄禁带半导体通过欧姆接触与金属阳极(1)短接。

4.根据权利要求3所述的一种二极管器件，其特征在于：所述P+宽禁带半导体区(7)与第二窄禁带半导体之间还具有与上述二者形成欧姆接触的金属阳极区(1a),并且金属阳极区(1a)与金属阳极(1)等电位。

5.根据权利要求1所述的一种二极管器件，其特征在于：所述P+宽禁带半导体区(7)与N型宽禁带半导体外延层(3)形成超结结构。

6.根据权利要求5所述的一种二极管器件，其特征在于：N-宽禁带半导体外延层(3)顶层的掺杂浓度大于其顶层之下的掺杂浓度。

7.根据权利要求5或6所述的一种二极管器件，其特征在于：P+宽禁带半导体区(7)顶层的掺杂浓度大于其顶层之下的掺杂浓度。

8.根据权利要求1所述的一种二极管器件，其特征在于：P+宽禁带半导体区(7)与金属阳极(1)短接或者P+宽禁带半导体区(7)浮空设置。

9.一种二极管器件的制作方法，其特征在于