CN108700542A 裂纹结构、使用裂纹结构的隧穿结以及制作其的方法 （瓦伦汀·杜布瓦）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN108700542A

(43)申请公布日2018.10.23

(21)申请号201680081779.1

(22)申请日2016.12.14

(30)优先权数据

1500508-52015.12.14SE

1600167-92016.05.17SE

1600253-72016.09.09SE

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2018.08.14

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/EP2016/0810192016.12.14

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2017/102852EN2017.06.22

(72)发明人瓦伦汀·杜布瓦

弗兰克·尼克劳斯约兰·斯特默

(74)专利代理机构中国专利代理(香港)有限公

司72001代理人孙鹏郑冀之

(51)Int.CI.

GO1N27/327(2006.01)

G01N33/487(2006.01)

(71)申请人瓦伦汀·杜布瓦地址瑞典斯德哥尔摩

权利要求书3页说明书9页附图4页申请人弗兰克·尼克劳斯约兰·

权利要求书3页说明书9页附图4页

(54)发明名称

裂纹结构、使用裂纹结构的隧穿结以及制作其的方法

(57)摘要

CN108700542A总体来说本发明提供一种在衬底上制作裂纹结构的方法，所述裂纹结构可用作在纳米间隙器件中的隧穿结结构。这样的纳米间隙器件继而可用在多个应用中，尤其在用于DNA分子的所谓的量子测序的器件中。该方法包括在内建应力下经图案化的层的受控破裂或释放，由此形成被纳米间隙(所谓的裂纹结构或裂纹结(CJ))分开的元件(例如悬臂部分或电极)。该裂纹限定的纳米间隙的宽度由在膜中图案化的带缺口的桥处局部释放蚀刻膜来控制。该内建应力有助于形成裂纹并且限定裂纹限定的纳米间隙的宽度。此外，通过该桥的长度在亚μm至25μm之间的范围中的设计，可以针对从2nm至100nm的每个单个裂纹结构来控制在由裂纹限定的纳米间隙的宽度限定的元件之间的分离。该纳米间隙可以被用于与用于DNA、RNA或肽测序的纳米孔相组合的隧穿

CN108700542A

CN108700542A权利要求书1/3页

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1.一种在衬底上形成裂纹结构的方法，包括以下步骤：

提供衬底；

在衬底上提供牺牲层；

在牺牲层上提供一个或多个所选材料的层，以使得将在(多个)材料中存在内建应力；

对(多个)材料的层进行图案化以提供优选地拉长的、具有至少一个应力集中结构的桥，该应力集中结构优选地采用缺口或沿着所述桥的长边彼此相对定位的两个缺口的形式或作为跨该桥延伸的沟槽；

在(多个)应力集成结构处形成裂纹，其中裂纹限定的间隙的宽度由桥的长度和内建应力来预定；

蚀刻掉在该桥的至少一部分下面的材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其中裂纹形成出现在以下各项中：i)在蚀刻掉牺牲层之前，ii)在蚀刻掉牺牲层期间，或iii)在蚀刻掉牺牲层之后。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中由具有与衬底材料不同的热膨胀系数的(多个)所选材料来实现一个或多个所选材料中的内建应力，并且其中在与形成裂纹所处的温度不同的(多个)温度下执行材料的沉积。

4.根据权利要求1、2或3所述的方法，其中该衬底由从由Si、碳化硅、玻璃、石英、蓝宝石、GaAs、GaN、InP和聚合物组成的组中选择的材料来制成，特别地该衬底可以是包含CMOS集成电路的单晶Si晶圆。

5.根据权利要求1-4中的任一项所述的方法，其中从由Al?O?、Si、Si02、SiN、A1、单层或几层石墨烯和聚合物组成的组中选择该牺牲材料，其优选地通过沉积技术来提供，该沉积技术包括原子层沉积(ALD)、溅射、蒸发、化学汽相沉积(CVD)、层转移、喷涂、旋涂和外延生长中的任一个。

6.根据权利要求1-5中的任一项所述的方法，其中用来获得带缺口的桥的图案化包括涉及掩蔽和蚀刻的光刻。

7.根据权利要求1-6中的任一项所述的方法，其中(多个)所选材料的层包括通过一个或多个介电层分开的一个或多个导电层的堆叠结构，并且其中该导电材料优选地由金、铂、单层或几层石墨烯、氮化钛和超导材料组成，其优选地通过沉积技术来提供，该沉积技术包括原子层沉积(ALD)、溅射、