CN108598063B 常规芯片内的金属线及其制作方法 （北京智芯微电子科技有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN108598063B公告日2020.05.26

(21)申请号201810500067.X

(22)申请日2018.05.23

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN108598063A

(43)申请公布日2018.09.28

(73)专利权人北京智芯微电子科技有限公司地址100192北京市海淀区西小口路66号

中关村东升科技园A区3号楼

专利权人国网信息通信产业集团有限公司

(72)发明人纪莲和王文赫张贺丰

(51)Int.CI.

H01L23/498(2006.01)

H01L21/60(2006.01)

(56)对比文件

US5882998A,1999.03.16,全文.

CN107393843A,2017.11.24,说明书第56-58段及说明书附图4-6.

CN1909227A,2007.02.07,全文.

CN103633065A,2014.03.12,全文.

审查员刘杰铭

权利要求书1页说明书3页附图1页

(54)发明名称

常规芯片内的金属线及其制作方法

(57)摘要

CN108598063B本发明公开了一种常规芯片内的金属线及其制作方法，金属线中位于常规芯片内的部分具有第一段金属线及第二段金属线，且第一段金属线及第二段金属线能够在通过一定电流的情况下熔断。借此，本发明的常规芯片内的金属线，金属线为双断结构，采用eFuse熔断金属线不会出

CN108598063B

CN108598063B权利要求书1/1页

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1.一种常规芯片内的金属线，其特征在于，所述金属线中位于所述常规芯片内的部分具有第一段金属线及第二段金属线，且所述第一段金属线及所述第二段金属线能够在通过一定电流的情况下熔断；

能够熔断的所述第一段金属线及所述第二段金属线比其余所述金属线细；

所述常规芯片内的金属线的制作方法包括：

提供半导体基板，所述半导体基板表面具有第一钝化层；

图案化所述第一钝化层，在其表面形成第一凹槽；

在所述第一凹槽内沉积第一金属并研磨多余的所述第一金属，从而使得所述第一金属层与所述第一钝化层平齐；

在所述第一钝化层和所述第一金属层的表面沉积第二钝化层；

图案化所述第二钝化层，形成贯穿所述第二钝化层的第二凹槽、第三凹槽及第四凹槽；以及

在所述第二凹槽、所述第三凹槽及所述第四凹槽内沉积第二金属，研磨多余的所述第二金属，从而使得所述第二金属层与所述第二钝化层平齐；

其中，所述第一凹槽的深度小于所述第二凹槽、所述第三凹槽及所述第四凹槽的深度。

2.如权利要求1所述的常规芯片内的金属线，其特征在于，所述第一钝化层和所述第二钝化层的材料均是二氧化硅。

3.如权利要求1所述的常规芯片内的金属线，其特征在于，所述第一金属层和所述第二金属层的材料均是铜。

CN108598063B说明书1/3页

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常规芯片内的金属线及其制作方法

技术领域

[0001]本发明是关于芯片设计领域，特别是关于一种常规芯片内的金属线及其制作方

法。

背景技术

[0002]在芯片中一次性物理写入某些编码可以个性化芯片，也可以作为芯片的全生命周期身份识别，在各行各业中应用广泛。目前行业内通用的在芯片中一次性物理写入编码的方法有OTP和eFuse。OTP(OneTimeProgramable)是MCU的一种存储器类型，意思是一次性可编程：通过激光烧录的方法熔断芯片中某些金属线，造成芯片物理上的不可更改和清除。eFuse是采用电子熔断金属线的方式，也会造成芯片物理上的不可更改和清除。

[0003]OTP熔断芯片中的金属线生产工艺成熟、简单，但是生产效率低下。随着芯片制造工艺进入纳米级别，金属线间隔变的越来越小，这给0TP熔断金属线的操作带来了难度。采用eFuse熔断芯片中金属线的方式生产效率较高，可以在纳米级别的芯片上进行生产操作，但是eFuse熔断金属线时由于熔断能量分布不均可能导致金属线并未完全烧断，或者金属线在高温烘烤后出现再次连接的现象，影响长期使用的可靠性。

[0004]公开于该背景技术部分的信息仅仅