CN110098052B 一种晶界层电容器的制作方法 （太原科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN110098052B公告日2021.07.02

(21)申请号201910311066.5

(22)申请日2019.04.18

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN110098052A

(43)申请公布日2019.08.06

(73)专利权人太原科技大学

地址030024山西省太原市万柏林区瓦流

路66号

专利权人湖北大学

南京铱方巨人新能源科技有限公司

(72)发明人杨昌平李伟恒胡竞楚张木森徐玲芳梁世恒王瑞龙肖海波

(74)专利代理机构武汉河山金堂专利事务所(普通合伙)42212

代理人胡清堂陈懿

(51)Int.CI.

H01G4/12(2006.01)

H01G4/00(2006.01)

(56)对比文件

CN

CNCN

CN

CN

109503129

103601488

1402271

1629990

105916829

A,2019.03.22

A,2014.02.26A,2003.03.12

A,2005.06.22

A,2016.08.31

李慧娟等.SrTi03晶界层电容陶瓷的介电性能与晶粒大小的关系.《湖北大学学报(自然科学版)》.2019,

审查员谭剑权

权利要求书1页说明书5页附图2页

(54)发明名称

一种晶界层电容器的制作方法

(57)摘要

CN110098052B本发明提供一种晶界层电容器的制作方法，采用三步法制备STO晶界层电容器。首先将STO生瓷片在还原性气氛中烧结得到半导体化基片，再选用适当氧化剂对STO半导体化基片进行绝缘化，最后利用STO晶界层电容器电阻值随负载电压及加压时间不断增加的特点，在加载电压条件下，对晶界层电容进行快速热处理来提高电容器的绝缘电阻值和一致性。该方法效果明显，对SrTi0?晶界层电容器在微波集成技术、微波电路

CN110098052B

S1

S2

S3

运用流延法制备基片生坯，将基片生坯半导化得到STO基片，选取多种成分的金属与非金属氧化物的混合物作为氧化剂对STO基片进行绝缘化以及印刷电极，制备得到可测试介电性能的大瓷片

将得到的可测试介电性能的大瓷片进行电、热处理，将处理后可测试介电性能的大瓷片进行切片处理，得到STO晶界层电容器

将得到的STO品界层电容器进行绝缘电阻及介电参数测量

CN110098052B权利要求书1/1页

2

1.一种晶界层电容器的制作方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

S1、运用流延法制备基片生坯，将基片生坯半导化得到STO基片，选取多种成分的金属氧化物与非金属氧化物的混合物作为氧化剂对STO基片进行绝缘化以及印刷电极，制备得到可测试介电性能的大瓷片；

S2、将得到的可测试介电性能的大瓷片进行电、热处理，将处理后可测试介电性能的大瓷片进行切片处理，得到STO晶界层电容器；

S3、将得到的STO晶界层电容器进行绝缘电阻及介电参数测量；

所述步骤S2包括以下步骤：

S21、将得到的可测试介电性能的大瓷片加载50V直流恒压，在0?流动气氛，快速退火炉中以1℃/s快速升温至250℃,在250℃保温30s后将负载电压关闭；

S22、将大瓷片从退火炉中拿出迅速置入液氮中急速冷却1～3分钟，然后将大瓷片拿出，在空气中自然升至室温静置24小时后待测；

S23、将大瓷片切成特定尺寸样品，最后得到STO晶界层电容器。

2.根据权利要求1所述一种晶界层电容器的制作方法，其特征在于，所述步骤S1中包括以下步骤：

S11、运用流延法制备基片生坯，其中，采用SrCO?和Ti0?为主料，加入消泡剂和分散剂，并各取主料重量的1%,经行星式球磨机球磨得到流延浆料，再经流延、干燥、叠片和热压后得到基片生坯；

S12、将基片生坯在650℃进行排胶处理，排胶后的瓷片在N?/H?还原气氛中，1350℃烧结2.5小时后得到半导化STO基片；

S13、使用匀胶机将氧化剂均匀涂满基片表面，再将涂好氧化剂的基片放置于1200℃下保温3小时后进行降温，先经过0.5小时降至950℃,再从950℃通过自然降温降至室温；

S14、采用丝网印刷工艺将绝缘化后的基片两面均匀印上银浆，在750℃下保温0.5小时进行烧银，得到可测试介电性能的大瓷