CN108793057A 碳化硅基石墨烯超导tes器件及其制作方法 （江苏心磁超导体有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN108793057A

(43)申请公布日2018.11.13

(21)申请号201810733468.X

(22)申请日2018.07.06

(71)申请人江苏心磁超导体有限公司

地址215300江苏省苏州市昆山市花桥镇

徐公桥路2号683室

(72)发明人胡海涛

(74)专利代理机构石家庄轻拓知识产权代理事务所(普通合伙)13128

代理人王占华

(51)Int.CI.

B81B3/00(2006.01)

B81B7/02(2006.01)

B81C1/00(2006.01)

权利要求书1页说明书3页附图2页

(54)发明名称

碳化硅基石墨烯超导TES器件及其制作方法

(57)摘要

CN108793057A本发明公开了一种碳化硅基石墨烯超导TES器件及其制作方法，涉及太赫兹器件技术领域。所述TES器件采用在碳化硅基衬底上采用热升华的方式，升华硅原子，得到近自由态的石墨烯作为热沉基板，在石墨烯上制作超导薄膜，实现对太赫兹波的探测。所述器件的制作工艺简单，与现有TES器件工艺兼容；采用碳化硅基升华硅原子生长得到的二维高散热率石墨烯材料作为声

CN108793057A

在碳化硅衬底上采用热升华的方式，升华硅原子，得到近自由态的石墨烯层作为热沉基板

在所述石墨烯层上制作超导薄膜层，通过所述超导薄膜层实现对太赫兹波的探测

CN108793057A权利要求书1/1页

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1.一种碳化硅基石墨烯超导TES器件，其特征在于：包括碳化硅衬底层(1),所述碳化硅衬底层(1)的上侧设置有石墨烯层(2),所述石墨烯层(2)的上侧设置有超导薄膜层(3)。

2.如权利要求1所述的碳化硅基石墨烯超导TES器件，其特征在于：所述器件还包括位于石墨烯层(2)与所述超导薄膜层(3)之间的Ti薄膜层(4)。

3.如权利要求1所述的碳化硅基石墨烯超导TES器件，其特征在于：所述超导薄膜层(3)包括位于下侧的声子超导薄膜层(31)以及位于上侧的电子超导薄膜层(32)。

4.如权利要求3所述的碳化硅基石墨烯超导TES器件，其特征在于：所述声子超导薄膜层(31)的制作材料为Au或Pd。

5.如权利要求3所述的碳化硅基石墨烯超导TES器件，其特征在于：所述电子超导薄膜层(32)的制作材料为Ti。

6.一种碳化硅基石墨烯超导TES器件的制作方法，其特征在于包括如下步骤：

在碳化硅衬底(1)上采用热升华的方式，升华硅原子，得到近自由态的石墨烯层(2)作为热沉基板；

在所述石墨烯层(2)上制作超导薄膜层(3),通过所述超导薄膜层(3)实现对太赫兹波的探测。

7.如权利要求6所述的碳化硅基石墨烯超导TES器件的制作方法，其特征在于：所述超导薄膜层(3)通过电子束蒸发或磁控溅射的方式生长，且其厚度为30nm-60nm。

8.如权利要求6所述的碳化硅基石墨烯超导TES器件的制作方法，其特征在于：所述超导薄膜层(3)包括位于下侧的声子超导薄膜层(31)以及位于上侧的电子超导薄膜层(32),所述声子超导薄膜层(31)的制作材料为Au或Pd,所述电子超导薄膜层(32)的制作材料为Ti,在生长所述超导薄膜层(3)之前先沉积一层厚度为10nm-15nm的Ti薄膜。

9.如权利要求6所述的碳化硅基石墨烯超导TES器件的制作方法，其特征在于：所述超导薄膜层(3)生长完毕之后，做一次光刻，通过刻蚀的方法完成所述薄膜的图形化，形成具有特定尺寸的TES超导器件。

CN108793057A说明书1/3页

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碳化硅基石墨烯超导TES器件及其制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及太赫兹器件技术领域，尤其涉及一种碳化硅基石墨烯超导TES器件及其制作方法。

背景技术

[0002]太赫兹波是指频率在100GHz-10THz范围内的电磁波，与毫米波的高端、亚毫米波及远红外有所交叠，处于宏观电子学向微观光子学的过度领域。太赫兹波在电磁波频谱中占有很特殊的位置。太赫兹技术是一个非常重要的交叉前沿领域，给技术创新、国民经济