CN108649138A 显示面板及其制作方法 （武汉华星光电半导体显示技术有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN108649138A

(43)申请公布日2018.10.12

(21)申请号201810412136.1

(22)申请日2018.04.28

(71)申请人武汉华星光电半导体显示技术有限公司

地址430070湖北省武汉市东湖新技术开

发区高新大道666号光谷生物创新园C5栋305室

申请人华中科技大学

(72)发明人黄静徐湘伦

(74)专利代理机构广州三环专利商标代理有限公司44202

代理人郝传鑫熊永强

(51)Int.CL.

HO1LHO1L

51/52(2006.01)

51/56(2006.01)

权利要求书1页

说明书7页附图2页

(54)发明名称

显示面板及其制作方法

在墓板上制各发光器件，梁用化学气相沉

在墓板上制各发光器件，梁用化学气相沉积的工艺在发光器钟上形成苏一元礼层。

永网空网原子层沉和的工艺在第一无机层上形成第二无机层

S103-采用喷签打印或闪蒸的工艺在第二元

祝层上形成有就缓冲层

采用空词原予层织的工艺在有机缓冲层上影成等

三无机层、第一无批层的边沿和第三无机层的边店超出剪就缓冲层的边酒

CN108649138A本发明提供了一种显示面板，所述显示面板包括基板、设于所述基板上的发光器件及依次覆盖所述发光器件的第一无机层及第二无机层，所述第二无机层的密度大于所述第一无机层的密度，以提高所述显示面板的阻隔水氧性能。本发

CN108649138A

CN108649138A权利要求书1/1页

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1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括基板、设于所述基板上的发光器件及依次覆盖所述发光器件的第一无机层及第二无机层，所述第二无机层的密度大于所述第一无机层的密度，以提高所述显示面板的阻隔水氧性能。

2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一无机层的边沿超出所述第二无机层的边沿。

3.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括依次覆盖在所述第二无机层上的有机缓冲层及第三无机层，所述第一无机层的边沿和所述第三无机层的边沿超出所述有机缓冲层的边沿。

4.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第二无机层的边沿超出所述有机缓冲层的边沿。

5.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述有机缓冲层的边沿超出所述第二无机层的边沿。

6.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第二无机层为氧化铝膜，所述第二无机层的厚度为0.05-0.1um。

7.如权利要求3述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括设于所述基板上的一个或多个挡墙，至少有一个所述挡墙包围所述发光器件，所述第一无机层、所述第二无机层及所述第三无机层覆盖至少一个所述挡墙，且至少有一个所述挡墙包围所述有机缓冲层。

8.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一无机层贴合于所述基板，以使所述发光器件密封于所述第一无机层与所述基板之间。

9.一种显示面板制作方法，其特征在于，包括：

在基板上制备发光器件，采用化学气相沉积的工艺在所述发光器件上形成第一无机层；

采用空间原子层沉积的工艺在所述第一无机层上形成第二无机层，以使所述第二无机层的密度大于所述第一无机层的密度，以提高所述显示面板的阻隔水氧性能。

10.如权利要求9所述的显示面板制作方法，其特征在于，还包括：

采用喷墨打印或闪蒸的工艺在所述第二无机层上形成有机缓冲层；

采用空间原子层沉积的工艺在所述有机缓冲层上形成所述第三无机层，所述第一无机层的边沿和所述第三无机层的边沿超出所述有机缓冲层的边沿，以封装所述有机缓冲层。

CN108649138A说明书1/7页

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显示面板及其制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板及其制作方法。

背景技术

[0002]有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode,OLED)具有响应速度快、温度适用范围广、自发光、可以实现柔性显示等优点，被誉为继阴极射线管(CathodeRayTube,CRT)、液晶显示器(LiquidCryst