CN108520871A 晶圆级芯片中的嵌入式焊盘及其制作方法 （北京智芯微电子科技有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN108520871A

(43)申请公布日2018.09.11

(21)申请号201810359965.8

(22)申请日2018.04.20

(71)申请人北京智芯微电子科技有限公司

地址100192北京市海淀区西小口路66号

中关村东升科技园A区3号楼

申请人国网信息通信产业集团有限公司

(72)发明人王文赫纪莲和张贺丰

(74)专利代理机构北京中誉威圣知识产权代理有限公司11279

代理人周际张鹏

(51)Int.CI.

HO1L23/488(2006.01)

HO1L21/60(2006.01)

权利要求书1页说明书3页附图2页

(54)发明名称

晶圆级芯片中的嵌入式焊盘及其制作方法

(57)摘要

CN108520871A本发明公开了一种晶圆级芯片中的嵌入式焊盘及其制作方法。所述晶圆级芯片中的嵌入式焊盘结构包括第一钝化层、第一金属层、第二钝化层、第二金属层。所述第一金属层包括金属单元和沟道，所述金属单元和所述沟道均覆盖在所述第一钝化层的上面。所述第一金属层与所述晶圆级芯片的内部电路相连接，形成导电通道。第二钝化层位于所述第一金属层的上面，覆盖了所述金属单元形成了第二钝化层的沟道。第二金属层填充在所述第一金属层和所述第二钝化层的沟道中。所述第一金属层和第二金属层的材料不同。所述晶圆级芯片中的嵌入式焊盘在针测后连接晶圆级芯片内部电路的金属层不会出现金属

CN108520871A

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CN108520871A权利要求书1/1页

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1.一种晶圆级芯片中的嵌入式焊盘，所述嵌入式焊盘是所述晶圆级芯片与外部器件的连接单元，其特征在于，所述嵌入式焊盘包括：

第一钝化层；

第一金属层，包括金属单元和沟道，所述金属单元和所述沟道均覆盖在所述第一钝化层的上表面，所述第一金属层与所述晶圆级芯片的内部电路相连接，形成导电通道；

第二钝化层，位于所述第一金属层的上面，覆盖了所述第一金属层的金属单元形成了第二钝化层的沟道；以及

第二金属层，填充在所述第一金属层和所述第二钝化层的沟道中，所述第二金属层作为所述晶圆级芯片与所述外部器件的连接点，

其中，所述第一金属层和所述第二金属层的材料不同。

2.根据权利要求1所述的晶圆级芯片中的嵌入式焊盘，其特征在于，所述第一钝化层和所述第二钝化层的材料均为二氧化硅。

3.根据权利要求1所述的晶圆级芯片中的嵌入式焊盘，其特征在于，所述第一金属层的材料是铜。

4.根据权利要求1所述的晶圆级芯片中的嵌入式焊盘，其特征在于，所述第二金属层的材料是铝。

5.一种晶圆级芯片中的嵌入式焊盘的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供沉积了第一钝化层的基板；

图案化所述第一钝化层从而在所述第一钝化层上形成凸台；

在形成所述凸台后的第一钝化层上沉积第一金属，形成与所述凸台高度相同的第一金属层；

在所述第一金属层上沉积第二钝化层；

图案化所述第二钝化层从而在所述第一金属层和所述第二钝化层上形成沟道；以及

在所述沟道内沉积第二金属，如果存在部分第二金属沉积在所述第二钝化层表面，那么将该部分的第二金属刻蚀掉，

其中，所述第一金属和所述第二金属的材料不同。

6.根据权利要求5所述的晶圆级芯片中的嵌入式焊盘的制作方法，其特征在于，所述第一钝化层和所述第二钝化层的材料均为二氧化硅。

7.根据权利要求5所述的晶圆级芯片中的嵌入式焊盘的制作方法，其特征在于，所述第一金属层的材料是铜。

8.根据权利要求5所述的晶圆级芯片中的嵌入式焊盘的制作方法，其特征在于，所述第二金属层的材料是铝。

CN108520871A说明书1/3页

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晶圆级芯片中的嵌入式焊盘及其制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及晶圆级芯片技术领域，特别涉及一种晶圆级芯片中的嵌入式焊盘及其制作方法。

背景技术

[0002]集成电路是把一定数量的常用电子元件，如电阻、电容、晶体管等，以及这些元件之间的连线，通过半导体