CN110113022B 一种薄膜体声波谐振器及其制作方法 （南方科技大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN110113022B(45)授权公告日2023.09.26

(21)申请号201910395470.5

(22)申请日2019.05.13

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN110113022A

(43)申请公布日2019.08.09

(73)专利权人南方科技大学

地址518000广东省深圳市南山区西丽学

苑大道1088号

(72)发明人王亮程凯于洪宇

(74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司11332

专利代理师孟金喆

(51)Int.CI.

HO3H3/02(2006.01)

HO3H9/02(2006.01)

H03H9/17(2006.01)

(56)对比文件

CN109474252A,2019.03.15

CN105703736A,2016.06.22

US2005179077A1,2005.08.18JP2005236338A,2005.09.02CN101499784A,2009.08.05

CN107241077A,2017.10.10

审查员周容

权利要求书2页说明书6页附图5页

(54)发明名称

一种薄膜体声波谐振器及其制作方法

(57)摘要

CN110113022B本发明实施例公开了一种薄膜体声波谐振器及其制作方法，其中薄膜体声波谐振器包括：绝缘体上硅基片；所述绝缘体上硅基片依次包括衬底、绝缘层和悬浮硅层；所述悬浮硅层掺杂有杂质材料，以使所述悬浮硅层作为底电极；设置于所述悬浮硅层远离所述衬底一侧的压电薄膜层；设置于所述压电薄膜层远离所述衬底一侧的顶电极；其中，所述绝缘层靠近所述悬浮硅层的一侧设置有气腔。本发明实施例提供的技术方

CN110113022B

CN110113022B权利要求书1/2页

2

1.一种薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括：

绝缘体上硅基片；所述绝缘体上硅基片依次包括衬底、绝缘层和悬浮硅层；所述悬浮硅层掺杂有杂质材料，以使所述悬浮硅层作为底电极；所述悬浮硅层的阻抗率小于或者等于0.1Ω·cm;

设置于所述悬浮硅层远离所述衬底一侧的压电薄膜层；

设置于所述压电薄膜层远离所述衬底一侧的顶电极；

其中，所述绝缘层靠近所述悬浮硅层的一侧设置有气腔；

所述气腔分别与所述悬浮硅层和所述衬底接触；

所述衬底设置有至少一个第一通孔，所述第一通孔与所述气腔连通；

或：所述气腔分别与所述悬浮硅层和所述绝缘层接触；

所述衬底和所述绝缘层设置有至少一个第二通孔，所述第二通孔与所述气腔连通。

2.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，

所述悬浮硅层掺杂的杂质材料包括第三主族元素或第五主族元素。

3.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述悬浮硅层的厚度范围为20nm～2μm。

4.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述压电薄膜层的材料为氮化铝、氧化锌、镍酸锂或钽酸锂。

5.一种薄膜体声波谐振器的制作方法，其特征在于，适用于上述权利要求1-4任一项所述的薄膜体声波谐振器，所述薄膜体声波谐振器的制作方法包括：

提供一绝缘体上硅基片；所述绝缘体上硅基片依次包括衬底、绝缘层和悬浮硅层；所述悬浮硅层掺杂有杂质材料，以使所述悬浮硅层作为底电极；

在所述悬浮硅层上形成压电薄膜层；

在所述压电薄膜层上形成顶电极；

在所述绝缘层靠近所述悬浮硅层的一侧设置气腔。

6.根据权利要求5所述的薄膜体声波谐振器的制作方法，其特征在于，提供一绝缘体上硅基片，所述绝缘体上硅基片依次包括衬底、绝缘层和悬浮硅层，在所述悬浮硅层上形成压电薄膜层，包括：

提供一绝缘体上硅基片，所述绝缘体上硅基片依次包括衬底、绝缘层和悬浮硅材料；

在所述悬浮硅材料上形成压电薄膜材料；

对所述压电薄膜材料进行图案化处理，形成压电薄膜层；

对悬浮硅材料进行图案化处理，形成悬浮硅层；

在所述压电薄膜层上形成顶电极，包括：

在所述压电薄膜层上形成顶电极材料；

对所述顶电极材料进行图案化处理，形成顶电极。

7.根据权利要求5所述的薄膜体声波谐振器的制作方法，其特征在于，在所述绝缘层靠近所述悬浮硅层的一侧设置气腔，包括：

在所述衬底上形成至少一个第一通孔，露出所述绝缘层；

通过所述第一通孔对所述绝缘层进行刻蚀，形成分别与所述悬浮硅层和所述衬底接触的气腔。

CN1101