CN110379846A 一种氮化镓增强型垂直型晶体管组件及其制作方法 （上海科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN110379846A

(43)申请公布日2019.10.25

(21)申请号201910687907.2

(22)申请日2019.07.29

(71)申请人上海科技大学

地址201210上海市浦东新区华夏中路393

号

(72)发明人张羽邹新波杨杨

(74)专利代理机构上海申汇专利代理有限公司

31001

代理人翁若莹柏子霓

(51)Int.CI.

H01L29/06(2006.01)

H01L29/778(2006.01)

H01L21/335(2006.01)

权利要求书1页说明书3页附图8页

(54)发明名称

一种氮化镓增强型垂直型晶体管组件及其制作方法

(57)摘要

CN110379846A本发明提供了一种氮化镓增强型垂直型晶体管组件，其特征在于，包括由下至上分别依次布置的漏极层、导电衬底层、nGaN层、n型GaN层、p型GaN层和n+GaN层。本发明的另一个技术方案是提供了一种上述的氮化镓增强型垂直型晶体管组件的制作方法。本发明由于其微纳柱状的结构特征，使得柱状结构里npn型层均有足够的表面积/体积比。有利于使用退火工艺令p型氮化镓半导体里Mg掺杂获得激活，实现足够的空穴浓度，从而实现平衡状态下器件不导通，在正向开启电压下才开通的增强型器件。有效地解决薄膜器件中p型氮化镓半导体被n型半导体覆盖后不易被激活的缺点。其次，可以通过改变其器件的

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1.一种氮化镓增强型垂直型晶体管组件，其特征在于，包括由下至上分别依次布置的漏极层(10)、导电衬底层(1)、nGaN层(2)、n型GaN层(3)、p型GaN层(4)和nGaN层(5),n型GaN层(3)之上还设有栅极电介质层(6)且栅极电介质层(6)环绕p型GaN层(4),栅极电介质层(6)之上设有栅极(7),且栅极(7)环绕栅极电介质层(6)的侧壁外侧，栅极(7)之上设有氧化物层(8),且氧化物层(8)环绕包裹于栅极(7)和栅极电解质层(6)外侧，氧化物层(8)之上设有源极区(9),且源极区(9)包裹由漏极层(10)、导电衬底层(1)、nGaN层(2)、n型GaN层(3)、p型GaN层(4)、nGaN层(5)、栅极电介质层(6)、栅极(7)及氧化物层(8)组成的结构的整个上部表面。

2.一种如权利要求1所述的氮化镓增强型垂直型晶体管组件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、选择氮化镓衬底，氮化镓衬底为所述导电衬底层(1);

步骤2、在氮化镓衬底上沉积四层氮化镓层，四层氮化镓层由下至上依次定义为层一、层二、层三、层四，四层氮化镓层及氮化镓衬底的厚度为500nm、掺杂浓度为4×101cm?3,其中：层一为n型掺杂，厚度为500nm、掺杂浓度为4×101cm?3;层二为n型掺杂，厚度为5μm、掺杂浓度为2×101?cm3;层三为p型掺杂，厚度为1μm、掺杂浓度为2×101?cm?3;层四为n型掺杂，厚度为1.8μm、掺杂浓度为4×101?cm?3;

层一为所述nGaN层(2),层二为所述n型GaN层(3);

步骤3、在层四上沉积一层掩膜(11);

步骤4、分别利用干刻和湿刻在层三及层四上形成微纳柱状主体机构；

步骤5、由下至上分别沉积所述栅极电介质层(6)、栅极(7)及氧化物层(8);

步骤6、最后沉积所述漏极层(10)和所述源极区(9)。

CN110379846A说明书1/3页

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一种氮化镓增强型垂直型晶体管组件及其制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及一种柱状微纳器件及其制作方法，具体涉及一种氮化镓增强型垂直型晶体管组件及其制作方法。

背景技术

[0002]氮化镓具有3.4eV的禁带宽度，击穿场强3MV/cm以上，电子迁移率超过1000cm2/V·s的性质。目前基于AlGaN/GaN异质结制备的高电子迁移率晶体管(HEMT),在界面处利用自发极化和压电极化效应形成二维电子气。然而此类HEMT器件通常为耗尽型器件