CN1503336A 金属氧化物半导体场效应晶体管器件的制作方法.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公开说明书

[21]申请号200310118078.5

[51]Int.Cl?

H01L21/336

H01L29/78

[43]公开日2004年6月9日[11]公开号CN1503336A

[22]申请日2003.11.20

[21]申请号200310118078.5

[30]优先权

[32]2002.11.20[33]US[31]10/300,239

[71]申请人国际商业机器公司地址美国纽约州

[72]发明人韦斯利·C·纳茨尔马克·W·坎特尔

路易斯·D·兰兹罗蒂埃芬迪·利奥班邓布赖恩·L·特西尔瑞安·W·沃思里克

[74]专利代理机构北京市柳沈律师事务所代理人陶凤波侯宇

权利要求书3页说明书20页附图12页

[54]发明名称金属氧化物半导体场效应晶体管器件的制作方法

[57]摘要

本发明公开了一种MOSFET器件的制作方法，包括：在半导体衬底上覆盖栅极介电层，在栅极介电层上方形成导电栅极电极；然后可以增加氧化硅的毯覆层；在栅极电极周围的氧化硅层上方可以选择形成氮化硅的环；然后执行两个预清洁步骤，首先淀积化学氧化物去除气体，用吸附反应物膜覆盖器件，当吸附反应物膜与栅极介电层反应时，除去除栅极电极之外的栅极介电层以在位于衬底表面上的栅极电极的基部处形成氧化硅的圆形角，然后在源极/漏极区上方淀积一层或两层原位掺杂的硅层，以衬底上方形成单个或叠层外延突起源极/漏极区并突出于栅极介电层的表面之外；然后使掺杂剂从突起源极/漏极区扩散进入衬底。

知识产权出版社出版

200310118078.5权利要求书第1/3页

2

1.一种形成场效应晶体管的方法，包括如下步骤：

提供器件，包括覆盖具有导电栅极电极的半导体衬底的栅极介电层，

5该导电栅极电极具有形成于栅极介电层上方的侧壁，该器件具有在栅极电

极的侧壁边缘之间延伸的、位于栅极介电层与栅极电极之间的界面；

在栅极电极的底部处形成栅极介电层的圆形表面；

淀积覆盖器件的硅层，以形成突出于栅极介电层的外表面水平之外的突起源极区和突起漏极区；

10掺杂突起源极和漏极区；以及

使来自掺杂的突起源极区和掺杂的突起漏极区的掺杂剂扩散进入衬底，以在其中形成具有位于栅极电极下方的沟道区的源极区和漏极区。

2.根据权利要求1的方法，其中

利用预清洁步骤，通过除去除栅极电极和栅极介电层之间的界面之外

15的栅极介电层，形成栅极介电层的圆形表面。

3.根据权利要求1的方法，其中

通过栅极介电层的预清洁，除去除栅极电极和栅极介电层之间的界面之外的栅极介电层，保留栅极电极的侧壁和衬底之间的介电材料的圆形角，以形成栅极介电层的圆形表面。

204.根据权利要求3的方法，其中

栅极介电层是氧化硅材料；

在预清洁步骤之前执行氧化栅极电极的暴露表面的步骤，以在栅极电极的暴露的表面上形成再氧化层；

然后执行预清洁步骤，以除去再氧化层和栅极介电层的氧化硅，通过

25除去除栅极电极和栅极介电层之间的界面之外的栅极介电层而使得栅极介电层被定型，具有形成于栅极电极的侧壁和衬底之间的氧化硅材料的圆形角。

5.根据权利要求4的方法，淀积覆盖器件的硅层以形成突起源极区和

突起漏极区的步骤是选择性外延淀积工艺，其中硅层淀积在栅极电极的多

30晶硅和硅衬底上，并且硅层不淀积在氧化硅的圆形角上。

6.根据权利要求4的方法，淀积覆盖器件的硅层以形成突起源极区和

200310118078.5权利要求书第2/3页

3

突起漏极区的步骤是非选择性外延淀积工艺，其中硅层淀积在栅极电极的多晶硅，硅衬底和硅层以及包括氧化硅的圆形角的其它表面上。

7.根据权利要求6的方法，包括在非选择性外延淀积步骤之后执行各向同性的回刻蚀以除去在圆形角上方的硅层。

58.根据权利要求1的方法，包括在突起源极和漏极区上方形成一套上突起源极和漏极区。

9.根据权利要求4的方法，包括在突起源极和漏极区上方形成一套上突起源极和漏