镍铂靶材合金化学分析方法 第1部分：铂含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法标准立项修订与发展报告.docxVIP

*

《镍铂靶材合金化学分析方法第1部分：铂含量的测定电感耦合等离子体原子发射光谱法》标准化发展报告

EnglishTitle:StandardizationDevelopmentReportonChemicalAnalysisMethodsforNickel-PlatinumTargetAlloys—Part1:DeterminationofPlatinumContent—InductivelyCoupledPlasmaAtomicEmissionSpectrometry

摘要

随着半导体制造技术向更小节点（如7纳米、5纳米及以下）持续演进，对关键薄膜材料及其制备源——溅射靶材的性能与一致性提出了前所未有的高要求。镍铂（NiPt）合金靶材作为制备高性能镍铂硅化物接触层的关键材料，其铂（Pt）含量的精确控制直接决定了最终薄膜的电磁性能、热稳定性及界面质量，是影响半导体器件性能与可靠性的核心因素之一。本报告围绕《镍铂靶材合金化学分析方法第1部分：铂含量的测定电感耦合等离子体原子发射光谱法》的立项与制定，系统阐述了其背景、内容与价值。报告指出，该标准的制定旨在解决当前镍铂靶材行业中铂含量检测方法不统一、数据可比性差、交易缺乏权威依据等痛点。标准核心技术内容规定了采用电感耦合等离子体原子发射光谱法（ICP-AES）结合钇（Y）内标法进行测定，明确了方法适用于Pt含量在1.00%至15.00%范围内的NiPt3、NiPt5、NiPt10、NiPt15等系列合金，并给出了严格的质量分数允许差要求。该标准的建立，不仅为产品质量控制提供了科学、准确、可复现的检测依据，保障了产业链的公平交易，更将有力推动我国高端半导体靶材的规范化生产与技术升级，对提升整个集成电路材料产业的竞争力具有重要的战略意义。

关键词：镍铂靶材；铂含量测定；化学分析标准；电感耦合等离子体原子发射光谱法；半导体材料；标准化技术委员会；质量控制

Keywords:Nickel-PlatinumTarget;DeterminationofPlatinumContent;ChemicalAnalysisStandard;ICP-AES;SemiconductorMaterials;StandardizationTechnicalCommittee;QualityControl

正文

一、立项背景与目的意义

在当代集成电路制造中，金属硅化物接触技术是降低源/漏极和栅极接触电阻的关键工艺。镍铂硅化物因其热稳定性高、形成温度低、对硅衬底侵蚀小等优点，已成为先进逻辑器件和存储器件的主流接触材料。作为制备该薄膜的物理气相沉积（PVD）用溅射靶材，镍铂合金靶材的化学成分，尤其是铂元素的含量，是决定最终薄膜性能的核心参数。

从材料物理特性角度分析，镍（Ni）具有铁磁性，而铂（Pt）表现为顺磁性。在镍铂合金中，随着铂含量的增加，合金的整体磁性会减弱，这对于避免磁性材料对器件中电子传输的干扰至关重要。更为重要的是，铂的引入能显著提高所形成的镍铂硅化物薄膜的高温稳定性，抑制高温工艺过程中硅化物的异常聚集和相变，同时改善薄膜与硅衬底之间的界面形貌，有效减少“侵占缺陷”（encroachment）等界面问题，从而提升器件的电学性能和可靠性。

随着技术节点不断微缩，器件结构日益复杂，业界开始探索采用具有梯度铂含量的镍铂合金靶材来制备成分渐变的接触薄膜，以在界面稳定性、接触电阻和工艺窗口之间取得最优平衡。因此，对靶材中铂含量进行精确到小数点后两位的定量分析，并确保不同批次、不同供应商产品分析结果的一致性与可比性，成为了产业链上下游共同的核心诉求。

在此背景下，制订《镍铂靶材合金化学分析方法第1部分：铂含量的测定电感耦合等离子体原子发射光谱法》国家或行业标准，具有双重重要意义：技术保障意义与商业规范意义。技术上，它为这一关键材料的成分检验提供了权威、统一、科学的分析方法，是确保半导体用高端靶材产品质量稳定可靠的先决条件。商业上，它为靶材生产商与芯片制造商之间的交易提供了公正、可信的计量依据，是维护市场秩序、保障公平贸易的重要技术基石。

二、标准范围与主要技术内容

本标准作为系列标准的第1部分，聚焦于镍铂靶材合金中核心元素——铂含量的测定。

1.适用范围：本标准明确规定适用于半导体溅射用镍铂靶材合金，典型牌号包括NiPt3（铂含量约3%）、NiPt5、NiPt10及NiPt15等。

2.测定范围：方法测定的铂质量分数范围为1.00%~15.00%，覆盖了当前及可预见未来技术节点所需的主要合金成分。

3.核心技术内容：

*方法原理：采用电感耦合等离子体原子发射光谱法（ICP-AES）。样品