CN1518756A 制作无滑移的晶片架的装置和方法.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公开说明书

[21]申请号1

[51]Int.Cl?

H01L21/00

C23C16/00

[43]公开日2004年8月4日[11]公开号CN1518756A

[22]申请日2002.6.5[21]申请1

[30]优先权

[32]2001.6.19[33]US[31]09/884,720

[86]国际申请PCT/US2002/0176542002.6.5

[87]国际公布WO2002/103759英2002.12.27

[85]进入国家阶段日期2003.12.19

[71]申请人圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司地址美国马萨诸塞州

[72]发明人R·R·亨格斯特

[74]专利代理机构上海专利商标事务所代理人吴明华

权利要求书3页说明书8页附图5页

[54]发明名称制作无滑移的晶片架的装置和方法

[57]摘要

一种用于支承硅晶片的晶片架。该晶片架包括一陶瓷主体，它具有至少一个其尺寸构造成于其上支承硅晶片的晶片支承结构。在晶体槽的表面上设置一陶瓷覆层。该陶瓷覆层具有一防止杂质进入的厚度和一晶片接触表面。该晶片接触表面具有一覆涂后表面光洁度，其基本防止硅晶片中的

滑移。

知识产权出版社出版1权利要求书第1/3页

2

1.一种用于支承硅晶片的晶片架，该晶片架包括：

一陶瓷主体，它具有至少一个其尺寸构造成于其上支承硅晶片的晶片支承结构；

设置在晶片支承结构的表面上的一陶瓷覆层，该陶瓷覆层具有一防止杂质进入的厚度和一晶片接触表面，该晶片接触表面具有一覆涂后表面光洁度，

其中，晶片接触表面的覆涂后表面光洁度基本防止硅晶片中的滑移。

2.如权利要求1所示的晶片架，其特征在于，晶片支承结构包括至少一条其尺寸构造成在其中接纳一硅晶片的晶片槽。

3.如权利要求1所示的晶片架，其特征在于，晶片接触表面的覆涂后表面光洁度基本防止在300毫米直径或更大直径的硅晶片中的滑移。

4.如权利要求1所示的晶片架，其特征在于，晶片接触表面的覆涂后表面光洁度基本防止在达到720摄氏度或更高温度下的热处理过程中的硅晶片中的滑移。

5.如权利要求1所示的晶片架，其特征在于，陶瓷主体包括石英、金刚砂(SiC)以及再结晶的SiC。

.6.如权利要求1所示的晶片架，其特征在于，陶瓷覆层包括SiC。

7.如权利要求1所示的晶片架，其特征在于，陶瓷覆层的防止杂质进入的厚度为大于或基本等于30微米厚。

8.如权利要求1.所示的晶片架，其特征在于，陶瓷覆层的防止杂质进入的厚度标称为60微米厚。

9.如权利要求1所示的晶片架，其特征在于，陶瓷覆层的纯度大致为1ppm或更小。

10.如权利要求1所示的晶片架，其特征在于，晶片接触表面的覆涂后表面光洁度小于或基本等于0.4微米。

11.如权利要求1所示的晶片架，其特征在于，晶片架是一立式晶片架。

12.如权利要求2所示的晶片架，其特征在于，包括：1权利要求书第2/3页

3

一大体水平的底座；

从底座大体垂直地延伸的一支承杆，它具有至少一对相对底座大体平行地延伸的臂部，诸对臂部形成至少一条晶片槽。

13.如权利要求12所述的晶片架，其特征在于，支承杆包括形成多条槽的多个臂部，每一槽的尺寸构造成接纳一硅晶片，且每一槽上设有陶瓷覆层，以形成多个晶片接触表面，每一晶片接触表面具有覆涂后表面光洁度。

14.如权利要求12所述的晶片架，其特征在于，支承杆包括多根支承杆。

15.如权利要求12所述的晶片架，其特征在于，一顶板附接于支承杆的上末端。

16.如权利要求12所述的晶片架，其特征在于，底座包括一应力释放槽和一定位凹口。

17.一种制作用于支承硅晶片的晶片架的方法，该方法包括：

提供一陶瓷晶片架主体，该主体包括至少一个其尺寸构造成于其上支承一硅晶片的晶片支承结构；

将晶片支承结构的表面覆涂一保护的陶瓷覆层；以及

对该保护的陶瓷覆层进行表面加工，以形成一晶片接触表面，该陶瓷覆层有一防止杂质进入的厚度，且晶片接触表面有一覆涂后表面光洁度，其