CN1942023A 制作微型麦克风装置及其热氧化层与低应力结构层的方法 （探微科技股份有限公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公布说明书

[21]申请号200510108811.4

[51]Int.Cl.

H04R31/00(2006.01)

B81C1/00(2006.01)

HO1L21/00(2006.01)

[43]公开日2007年4月4日[11]公开号CN1942023A

[22]申请日2005.9.30

[21]申请号200510108811.4

[71]申请人探微科技股份有限公司地址中国台湾桃园县

[72]发明人林弘毅周尧天刘娉婷

[74]专利代理机构北京市柳沈律师事务所代理人陶凤波侯宇

权利要求书2页说明书5页附图15页

[54]发明名称

制作微型麦克风装置及其热氧化层与低应力结构层的方法

[57]摘要

本发明公开了一种制作微型麦克风装置及其热氧化层与低应力结构层的方法。所述方法包括：提供基底，并在基底的正面形成多个沟槽。接着在沟槽的内壁与基底的正面形成热氧化层并填满沟槽。之后在热氧化层上形成第一结构层，且在第一结构层中注入掺杂，再在第一结构层上形成第二结构层，并进行退火工艺，以降低第一结构层与第二结构层的应力。随后定义第一结构层与第二结构层的图案，以形成多个隔膜。最后将第二结构层固定于承载基底上，并利用深蚀刻技术在基底的背面形成多个对应隔膜的腔体，且腔体具有垂直的侧壁，并暴露出部分的第一结构层。

200510108811.4权利要求书第1/2页

2

1、一种制作微型麦克风装置的方法，包含有：

提供基底；

在所述基底的正面形成多个沟槽；

进行热氧化工艺，在所述沟槽的内壁与所述基底的所述正面形成热氧化层，且所述热氧化层填满所述沟槽；

在所述热氧化层上形成第一结构层；

在所述第一结构层中注入多个掺杂；

在所述第一结构层上形成第二结构层；

进行退火工艺，以降低所述第一结构层与所述第二结构层的应力；以及

将所述第二结构层固定于承载基底上，并利用深蚀刻技术在所述基底的背面形成多个对应所述隔膜的腔体，所述腔体具有垂直的侧壁，且所述腔体暴露出部分的所述第一结构层。

2、如权利要求1所述的方法，其中，所述沟槽利用感应耦合等离子体深蚀刻技术、X光深蚀刻技术或电子回旋共振等离子体深蚀刻技术来形成。

3、如权利要求1所述的方法，其中，所述热氧化层的厚度等于所述沟槽的深度与形成在所述正面的所述热氧化层的厚度的总和。

4、如权利要求1所述的方法，其中，所述第一结构层与所述第二结构层的材料包含有单晶硅、非晶硅或多晶硅。

5、如权利要求1所述的方法，其中，所述掺杂包含有硼离子或磷离子。

6、如权利要求1所述的方法，其中，所述第一结构层与所述第二结构层的应力通过控制所述掺杂的浓度加以调整。

7、如权利要求1所述的方法，其中，所述第一结构层与所述第二结构层的应力通过控制所述第一结构层与所述第二结构层的厚度比例加以调整。

8、如权利要求1所述的方法，其中，所述腔体利用感应耦合等离子体深蚀刻技术、X光深蚀刻技术或电子回旋共振等离子体深蚀刻技术来形成。

9、如权利要求1所述的方法，还包含有：在所述退火工艺之后定义所述第一结构层与所述第二结构层的图案，以形成多个隔膜。

10、一种制作热氧化层的方法，包含有：

提供基底；

200510108811.4权利要求书第2/2页

3

在所述基底的表面形成多个沟槽；以及

进行热氧化工艺，在所述沟槽的内壁与所述基底的所述表面形成热氧化层，且所述热氧化层填满等沟槽；

其中，所述热氧化层的厚度等于所述沟槽的深度与形成在所述表面的所述热氧化层的厚度的总和。

11、如权利要求10所述的方法，其中，所述沟槽利用感应耦合等离子体深蚀刻技术、X光深蚀刻技术或电子回旋共振等离子体深蚀刻技术来形成。

12、一种制作低应力结构层的方法，包含有：

提供基底；

在所述基底的表面形成第一结构层；

在所述第一结构层中注入多个掺杂；

在所述第一结构层上形成第二结构层；以及

进行退火工艺，以降低所述第一结构层与所述第二结构层的应力，其中所述第一结构层与所述第二结构层即构成低应力结构层。

13、如权利要求12所述的方法，其中，所述第一结构层与所述第二结构层的材