CN1949457A 制作腔体的方法与缩减微机电元件的尺寸的方法 （探微科技股份有限公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公布说明书

[21]申请号200510114001.X

[51]Int.Cl.

HO1L21/00(2006.01)

B81C1/00(2006.01)

[43]公开日2007年4月18日[11]公开号CN1949457A

[22]申请日2005.10.13

[21]申请号200510114001.X

[71]申请人探微科技股份有限公司地址中国台湾桃园县

[72]发明人黄德昌林弘毅徐文祥

[74]专利代理机构北京市柳沈律师事务所

代理人陶凤波侯宇

权利要求书2页说明书4页附图5页

[54]发明名称

制作腔体的方法与缩减微机电元件的尺寸的方法

[57]摘要

本发明公开了一种缩减一微机电元件的尺寸的方法。该方法包括首先提供一单晶硅基底，且单晶硅基底包含有位于该单晶硅基底的正面的一隔膜。接着进行一第一阶段各向异性干蚀刻工艺，由单晶硅基底的背面蚀刻单晶硅基底以形成一对应该隔膜的开口，且单晶硅基底的蚀刻停止于单晶硅基底中的一沿该隔膜的边缘延伸的特定晶面上。随后进行一第二阶段各向异性湿蚀刻工艺，并沿特定晶面蚀刻单晶硅基底直至暴露出隔膜以形成一腔体，且腔体具有一类钻石结构形状。

200510114001.X权利要求书第1/2页

2

1、一种利用二阶段蚀刻方式制作腔体的方法，包含有：

提供一单晶硅基底；

决定欲制作的所述腔体的一底部；

进行一第一阶段各向异性干蚀刻工艺，蚀刻所述单晶硅基底以形成一开口，所述开口具有一垂直的侧壁且所述单晶硅基底的蚀刻停止于一沿所述腔体的所述底部的边缘延伸的一特定晶面；以及

进行一第二阶段各向异性湿蚀刻工艺，并沿所述特定晶面蚀刻所述单晶硅基底直至暴露出所述底部以形成所述腔体。

2、如权利要求1所述的方法，其中，所述腔体具有一类钻石结构形状。

3、如权利要求1所述的方法，其中，所述单晶硅基底的晶格排列方向为(1,0,0),且所述特定晶面为(1,1,1)晶面。

4、如权利要求1所述的方法，其中，所述第一阶段各向异性干蚀刻工艺为等离子体蚀刻工艺。

5、如权利要求4所述的方法，其中，所述等离子体蚀刻工艺包含有反应性离子蚀刻工艺、感应耦合等离子体蚀刻工艺或电子回旋共振等离子体蚀刻工艺。

6、如权利要求1所述的方法，其中，所述第一阶段各向异性干蚀刻工艺为X光蚀刻工艺。

7、如权利要求1所述的方法，其中，所述第二阶段各向异性湿蚀刻工艺通过氢氧化钾溶液、乙二胺邻苯二酚溶液或氢氧化四甲基铵溶液蚀刻液来完成。

8、一种缩减微机电元件的尺寸的方法，包含有：

提供一单晶硅基底，且所述单晶硅基底包含有位于所述单晶硅基底的一正面的一隔膜；

进行一第一阶段各向异性干蚀刻工艺，由所述单晶硅基底的一背面蚀刻所述单晶硅基底以形成一对应所述隔膜的开口，所述单晶硅基底的蚀刻停止于所述单晶硅基底中的一沿所述隔膜的边缘延伸的特定晶面上；以及

进行一第二阶段各向异性湿蚀刻工艺，并沿所述特定晶面蚀刻所述单晶硅基底直至暴露出所述隔膜以形成一腔体，且所述腔体具有一类钻石结构形

200510114001.X权利要求书第2/2页

3

状。

9、如权利要求8所述的方法，其中，所述微机电元件包含有一压阻式压力敏感元件。

10、如权利要求8所述的方法，其中，所述单晶硅基底的晶格排列方向为(1,0,0),且所述特定晶面为(1,1,1)。

11、如权利要求8所述的方法，其中，所述第一阶段各向异性干蚀刻工艺为等离子体蚀刻工艺。

12、如权利要求11所述的方法，其中，所述等离子体蚀刻工艺包含有反应性离子蚀刻工艺、感应耦合等离子体蚀刻工艺或电子回旋共振等离子体蚀刻工艺。

13、如权利要求8所述的方法，其中，所述第一阶段各向异性干蚀刻工艺为X光蚀刻工艺。

14、如权利要求8所述的方法，其中，所述第二阶段各向异性湿蚀刻工艺通过氢氧化钾溶液、乙二胺邻苯二酚溶液或氢氧化四甲基铵溶液蚀刻液来完成。

200510114001.X说明书