CN100524882C 制作存储单元器件的方法 （旺宏电子股份有限公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利说明

专利号ZL200710161894.2

[45]授权公告日2009年8月5日

[51]Int.Cl.

HO1L45/00(2006.01)

G11C11/56(2006.01)

书

[11]授权公告号CN100524882C

[22]申请日2007.9.27

[21]申请号200710161894.2

[30]优先权

[32]2006.10.18[33]US[31]11/550,539

[73]专利权人旺宏电子股份有限公司地址中国台湾新竹科学工业园区

[72]发明人陈介方

[56]参考文献

US2006/0189045A12006.8.24US2005/0205929A12005.9.22CN1599068A2005.3.23

CN1808735A2006.7.26

JP2003-243537A2003.8.29

US2006/0138473A12006.6.29

审查员陈浩

[74]专利代理机构永新专利商标代理有限公司代理人王英

权利要求书3页说明书12页附图8页

[54]发明名称

制作存储单元器件的方法

[57]摘要

一种制造存储单元器件的方法，该器件包含存储材料元件，该存储材料元件可通过施加能量来改变电性，此方法包含沉积导体层，沉积电介质材料层，并将其蚀刻，以制作第一电极与孔洞。在该孔洞中加入存储材料，以制作存储材料元件，该存储材料元件与该第一电极接触。再制作第二电极，与存储材料元件接触。

200710161894.2权利要求书第1/3页

2

1、一种制作存储单元器件的方法，所述器件包含存储材料元件，所述存储材料元件可由施加能量来改变电性，所述方法包含：

在衬底上沉积第一导电层；

在所述第一导电层上沉积第一电介质材料层；

在所述第一电介质材料层上沉积第二电介质材料层；

形成穿越所述第一电介质材料层与所述第二电介质材料层的第一空洞，以便在所述第一导电层上制作第一电极条，所述第一空洞的边界为侧壁；

蚀刻所述侧壁的一部分，所述部分由所述第一电介质材料层所界定，以便制作凹陷区域，而所述凹陷区域介于所述第一电极条与所述第二电介质材料层之间；

在所述第一空洞中沉积第三电介质材料，沉积所述第三电介质材料的步骤为在所述凹陷区域中建立孔洞，而所述孔洞开口直至所述第一电极条；

形成第二空洞，所述第二空洞穿越所述第三电介质材料、所述第二电介质材料以及所述第一电极条，以由所述第一电极条建立第一电极，并且所述第二空洞贯穿所述孔洞，使得所述孔洞包含未与所述第二空洞对准的第一孔洞部分，及与所述第二空洞对准的第二孔洞部分；

填充所述第二孔洞部分与至少一部分的第二空洞，填充材料为第四电介质材料，同时至少保持部分的所述第一孔洞部分开口；

去除在所述第一电介质材料层之上的所述第二电介质材料层与部分的所述第三、第四电介质材料，以裸露所述第一孔洞部分；

施加存储材料至所述第一孔洞部分，以建立存储材料元件，同时所述存储材料元件与所述第一电极具有电接触；

在所述第一电介质材料层的外表面上施加第二电极导电层，同时与所述存储材料元件具有电接触。

200710161894.2权利要求书第2/3页

3

2、如权利要求1所述的方法，其中所述第三、第四电介质材料与所述第二电介质材料层所用的材料相同。

3、如权利要求1所述的方法，其中所述第三电介质材料沉积的步骤，为在所述第二电介质材料层上沉积所述第三电介质材料层。

4、如权利要求1所述的方法，其中施加所述存储材料的步骤，包含在所述第一电介质材料层的外表面上施加存储材料，同时还包含去除所述存储材料以裸露所述第一电介质材料层的外表面。

5、如权利要求1所述的方法，其中形成所述第一空洞的步骤，包含建立以第一方向延伸的第一沟槽；另外形成所述第二空洞的步骤，包含建立多个平行的沟槽，其方向与所述第一沟槽垂直。

6、一种制造存储单元器件的方法，所述器件包含存储材料元件，所述存储材料元件可利用施加能量而转换不同的电性，所述方法包含：

在衬底上沉积第一导电层；

在所述第一导电层上沉积第一电介质材料层；

在所述第一电介质材料层上沉积第二电介质材料层；

形成穿越所述第一电介质材料层与