CN100559570C 像素结构的制作方法 （友达光电股份有限公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利说明书专利号ZL200810134304.1

[51]Int.Cl.

HO1L21/84(2006.01)

HO1L27/12(2006.01)GO2F1/1362(2006.01)

[45]授权公告日2009年11月11日[11]授权公告号CN100559570C

[22]申请日2008.7.22

[21]申请号200810134304.1

[73]专利权人友达光电股份有限公司地址台湾省新竹市

[72]发明人赖哲永张宗隆蔡佳琪童振邦张家铭江俊毅余宙桓萧祥志

周汉唐张峻恺廖达文

[56]参考文献

CN2729758Y2005.9.28

US2007/0117048A12007.5.24

CN1721959A2006.1.18JP2006-73993A2006.3.16

审查员;杨万里

[74]专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司

代理人任默闻

权利要求书3页说明书10页附图22页

[54]发明名称

像素结构的制作方法

[57]摘要

本发明提供一种像素结构的制作方法，该方法如下所述。首先，于基板上形成栅极，并于基板上形成栅绝缘层以覆盖栅极。然后，于栅绝缘层上形成沟道层并于沟道层与栅绝缘层上形成导电层。接着，于导电层上形成具有彩色滤光层容纳开口的感光型黑矩阵，其包括第一区块与第二区块，第一区块的厚度小于第二区块的厚度。然后，以感光型黑矩阵为光掩膜图案化导电层以于沟道层上形成源极与漏极。之后，通过喷墨印刷工艺于彩色滤光层容纳开口内形成彩色滤光层，并于感光型黑矩阵与彩色滤光层上形成介电层。然后，图案化介电层以使漏极暴露并形成与漏极电连接的像素电极。

200810134304.1权利要求书第1/3页

2

1、一种像素结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

于一基板上形成一栅极；

于所述基板上形成一栅绝缘层以覆盖所述栅极；

于所述栅绝缘层上形成一沟道层；

于所述沟道层与所述栅绝缘层上形成一导电层；

于所述导电层上形成一感光型黑矩阵，其中所述感光型黑矩阵具有一彩色滤光层容纳开口，且所述感光型黑矩阵包括一第一区块以及一第二区块，且所述第一区块的厚度小于所述第二区块的厚度；

以所述感光型黑矩阵为光掩膜，图案化所述导电层以于所述沟道层上形成一源极以及一漏极，其中所述栅极、所述沟道层、所述源极以及所述漏极构成一薄膜晶体管；

通过喷墨印刷工艺于所述彩色滤光层容纳开口内形成一彩色滤光层；

于所述感光型黑矩阵与所述彩色滤光层上形成一介电层；

图案化所述介电层，以使所述漏极暴露；以及

形成一与所述漏极电连接的像素电极。

2、如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，还包括于所述感光型黑矩阵、所述薄膜晶体管以及所述栅绝缘层上形成一保护层。

3、如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，图案化所述导电层的步骤包括：

以所述感光型黑矩阵为光掩膜，移除部分未被所述感光型黑矩阵覆盖的所述导电层，以于所述沟道层上形成所述源极与所述漏极；以及

减少所述感光型黑矩阵的厚度，直到所述第一区块被完全移除。

4、如权利要求3所述的像素结构的制作方法，其特征在于，移除部分未被所述感光型黑矩阵覆盖的所述导电层的步骤包括进行一湿法刻蚀工艺。

200810134304.1权利要求书第2/3页

3

5、如权利要求3所述的像素结构的制作方法，其特征在于，减少感光型黑矩阵厚度的步骤包括进行一干法刻蚀工艺，其中所述干法刻蚀工艺包括一灰化工艺。

6、如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，所述沟道层的形成步骤包括：

于所述栅绝缘层上形成一半导体材料层；以及

图案化所述半导体材料层以形成一半导体层。

7、如权利要求6所述的像素结构的制作方法，其特征在于，还包括于所述半导体层表面上形成一欧姆接触层，其中图案化所述导电层的步骤包括：

以所述感光型黑矩阵为光掩膜，移除部分未被所述感光型黑矩阵覆盖的所述导电层，以于所述沟道层上形成所述源极与所述漏极；以及

移除在沟道层上的欧姆接触层，再减少所述感光型黑矩阵的厚度，直到所述第一区块被完全移除，其中图