CN100590823C 晶粒重新配置的封装结构中使用对准标志的制作方法 (南茂科技股份有限公司).docxVIP

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CN100590823C 晶粒重新配置的封装结构中使用对准标志的制作方法 (南茂科技股份有限公司).docx

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利说明书

专利号ZL200710188701.2

[51]Int.Cl.

HO1L21/50(2006.01)

HO1L21/56(2006.01)HO1L21/60((2006.01)HO1L21/78(2006.01)

HO1L23/31(2006.01)

H01L23/488(2006.01)

[45]授权公告日2010年2月17日[11]授权公告号CN100590823C

[51]Int.Cl.(续)

H01L23/544(2006.01)

[22]申请日2007.11.15

[21]申请号200710188701.2

[73]专利权人南茂科技股份有限公司

地址台湾省新竹科学工业园区研发一路1号

共同专利权人百慕达南茂科技股份有限公司

[72]发明人傅文勇

[56]参考文献

CN1181524C2004.12.22

US6869861B12005.3.22

US2006/0292828A12006.12.28

审查员徐健

[74]专利代理机构中科专利商标代理有限责任公

代理人周长兴

权利要求书8页说明书23页附图14页

[54]发明名称

晶粒重新配置的封装结构中使用对准标志的制作方法

[57]摘要

一种在晶粒重新配置的封装结构中使用对准标志的制作方法,包括:提供圆片并形成复数个对准标志在圆片背面的x-y方向上;切割圆片,以形成复数个晶粒且每一颗晶粒的主动面上配置有复数个焊垫以及在下表面的x-y方向上配置有对准标志;贴附复数个晶粒至基板上,并在基板以及部份的晶粒上涂布高分子材料层;以模具装置进行一封胶工艺以包覆住每一颗晶粒;在脱离模具装置及基板后,可形成一封胶体。

200710188701.2权利要求书第1/8页

2

1、一种晶粒重新配置的封装方法,包括:

提供一圆片,具有一上表面及一背面,且该圆片上配置有复数个晶粒;形成复数个对准标志在该圆片每一该晶粒的该背面的X-Y方向上;

切割该圆片,以形成复数个晶粒且每一该晶粒具有一主动面并于该主动面上配置复数个焊垫;

贴附该些晶粒至一基板上,且该基板上配置有一黏着层,将每一该晶粒的该主动面以倒装方式配置在该基板的该黏着层上;

形成一高分子材料层在该基板及部份该些晶粒上;

覆盖一模具装置,用以平坦化该高分子材料层,使得该高分子材料层填满在该些晶粒之间且包覆住每一该些晶粒;

脱离该模具装置,用以曝露出该高分子材料层的一上表面;及

脱离该基板及该黏着层,以曝露出每一该些晶粒的该主动面,以形成一封胶体。

2、一种晶粒重新配置的封装方法,包括:

提供一圆片,具有一上表面及一背面,且该圆片上配置有复数个晶粒;形成复数个对准标志在该圆片每一该晶粒的该背面的X-Y方向上;

切割该圆片,以形成复数个晶粒且每一该晶粒具有一主动面并于该主动面上配置复数个焊垫;

贴附该些晶粒至一基板上,且该基板上配置有一黏着层,将每一该晶粒的该主动面以倒装方式配置在该基板的该黏着层上;

形成一高分子材料层在该基板及部份该些晶粒上;

覆盖一模具装置,用以平坦化该高分子材料层,使得该高分子材料层填满在该些晶粒之间且包覆住每一该些晶粒;

脱离该模具装置,用以曝露出该高分子材料层的一上表面;

200710188701.2权利要求书第2/8页

3

脱离该基板及该黏着层,以曝露出每一该晶粒的该主动面上的该些焊垫,以形成一封胶体;

形成复数条扇出的金属线段,该些金属线段的一端与该些晶粒上的该些焊垫电性连接;

形成一保护层,以覆盖每一该晶粒的主动面及每一该金属线段并曝露出每一该金属线段的另一端;

形成复数个电性连接组件,将该些电性连接组件与该些金属线段的另一端电性连接;及

切割该封胶体,以形成复数个各自独立的完成封装的晶粒,其中每一该些晶粒的五个面均由该高分子材料层所包覆。

3、一种晶粒重新配置的封装方法,包括:

提供一圆片,具有一上表面及一背面,且该圆片上配置有复数个晶粒;形成复数个对准标志在该圆片的每一该晶粒的该背面的X-Y方向上;

切割该圆片,以形成复数个晶粒且每一该晶粒具有一主动面并于

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