CN100565880C 场效应晶体管、特别是垂直场效应晶体管、存储单元和制作方法 （英飞凌科技股份公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利说明书专利号ZL200480030422.8

[51]Int.Cl.

HO1L27/108(2006.01)

HO1L21/8242(2006.01)

[45]授权公告日2009年12月2日[11]授权公告号CN100565880C

[22]申请日2004.9.16

[21]申请号200480030422.8

[30]优先权

[32]2003.10.15[33]DE[314

[86]国际申请PCT/EP2004/0522162004.9.16

[87]国际公布WO2005/038922德2005.4.28

[85]进入国家阶段日期2006.4.17

[73]专利权人英飞凌科技股份公司地址德国慕尼黑

[72]发明人H·图斯

[56]参考文献

US5561308A1996.10.1

CN1323070A2001.11.21US6424001B12002.7.23

US6391705B12002.5.21

US2003/0057491A12003.3.27

D12004.9.9

US5365097A1994.11.15

审查员王晓