CN101226930B 具有层或结构识别标记的半导体结构及其制作方法和应用 (中芯国际集成电路制造(上海)有限公司).docxVIP

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CN101226930B 具有层或结构识别标记的半导体结构及其制作方法和应用 (中芯国际集成电路制造(上海)有限公司).docx

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN101226930B

(45)授权公告日2011.04.20

(21)申请号200710036474.1

(22)申请日2007.01.15

(73)专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

地址201203上海市浦东新区张江路18号

(72)发明人郭志蓉张启华董伟淳林育正

(74)专利代理机构北京市金杜律师事务所

11256

代理人李勇

(51)Int.CI.

HO1L27/02(2006.01)

HO1L23/544(2006.01)

HO1L21/82(2006.01)

HO1L21/00(2006.01)

(56)对比文件

US2003/0085701A1,2003.05.08,全文.US6127833A,2000.10.03,全文.

CN1320950A,2001.11.07,全文.US6825486B1,2004.11.30,全文.US7020582B1,2006.03.28,全文.

US20

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