CN101431025B 一种制作薄膜晶体管沟道区以及源、漏电极的新方法 （吉林建筑工程学院）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN101431025B

(45)授权公告日2010.12.15

(21)申请号200810051657.5

(22)申请日2008.12.24

(73)专利权人吉林建筑工程学院

地址130021吉林省长春市红旗街1129号

(72)发明人杨小天王超任伟赵春雷

唐巍郝志文陈伟利杜国同卢毅成荆海曹健林付国柱

(74)专利代理机构吉林长春新纪元专利代理有限责任公司22100

代理人魏征骥

(51)Int.CI.

HO1L21/336(2006.01)

审查员朱永全

权利要求书1页说明书5页附图4页

(54)发明名称

一种制作薄膜晶体管沟道区以及源、漏电极的新方法

(57)摘要

CN101431025B本发明涉及一种制作薄膜晶体管沟道区以及源、漏电极的新方法，属于微电子技术领域。包括涂胶、前烘、曝光、显影、镜检、后烘、腐蚀、用蒸镀、溅射或电子束蒸发等方法沉积电极，实现了沟道长度为L,沟道宽度为W的薄膜晶体管沟道区，两侧的沉积形成了源、漏电极，从而，完成了薄膜晶体管单一器件沟道层区域，源、漏电极的制作。本发明省去了传统工