CN101689581A 纳米线光电二极管和制作纳米线光电二极管的方法 （惠普开发有限公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公布说明书

[21]申请号200880022465.X

[51]Int.Cl.

H01L31/10(2006.01)

HO1L31/101(2006.01)

[43]公开日2010年3月31日[11]公开号CN101689581A

[22]申请日2008.6.25

[21]申请号200880022465.X

[30]优先权

[32]2007.6.26[33]US[31]11/819,226

[86]国际申请PCT/US2008/0079312008.6.25[87]国际公布WO2009/023065英2009.2.19

[85]进入国家阶段日期2009.12.28

[71]申请人惠普开发有限公司地址美国德克萨斯州

[72]发明人S·-Y·王M·谭

A·布拉特科夫斯基

R·S·威廉斯N·科巴亚施

[74]专利代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人李娜王洪斌

权利要求书4页说明书13页附图3页

[54]发明名称

纳米线光电二极管和制作纳米线光电二极管的方法

[57]摘要

公开了一种基于纳米线的光电二极管(100,200,300,400)。所述光电二极管包括具有锥形第一端部