CN101694842B 一种功率型AlGaNGaN肖特基二极管及其制作方法 （中山大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN101694842B

(45)授权公告日2013.04.03

(21)申请号200910193179.6

(22)申请日2009.10.20

(73)专利权人中山大学

地址510275广东省广州市新港西路135号

(72)发明人刘扬李佳林贺致远张佰君王钢

(74)专利代理机构广州粤高专利商标代理有限公司44102

代理人禹小明

(51)Int.CI.

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27/08(2006.01)

29/872(2006.01)21/8222(2006.01)21/329(2006.01)

(56)对比文件

CN101179098A,2008.05.14,全文.

US2005029614A1,2005.02.10,全文.US2005087765A1,2005.04.28,全文.JP2008103705A,2008.05.01,全文.

审查员唐跃强

权利要求书2页说明书5页附图5页

(54)发明名称

一种功率型A1GaN/GaN肖特基二极管及其制作方法

(57)摘要

101694842BCN1本发明公开了一种功率型AlGaN/GaN肖特基二极管，从下到上依次包括低电阻n型Si衬底层、缓冲层、GaN层、AlGaN层以及设置于该AlGaN层之上的栅极，该GaN层和AlGaN层之间形成了异质结二维电子气导电沟道，还包括上欧姆接触层、下欧姆接触层和设置在该AlGaN层表面的沉孔结构。本发明利用该沉孔结构实现横向AlGaN/GaN肖特基二极管中电流的纵向运输；本发明同时提供了一种功率型AlGaN/GaN肖特基二极管的制作方法。本发明提供了一种横向导电结构和纵向导电结构相结合的混合结构，既具有横向二维电子气导电沟道高浓度、高电子迁移率的特点，又实现了电流的纵向输运，便于实现多个器件单元的并联封装，以获得正向大电流特性。

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CN101694842B权利要求书1/2页

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1.一种功率型AlGaN/GaN肖特基二极管，包括：低电阻n型Si衬底层(6)、设置于该衬底层(6)之上的缓冲层(5)、设置于该缓冲层(5)之上的GaN层(4)、设置于该GaN层(4)之上的AlGaN层(3)以及设置于该AlGaN层(3)之上的栅极(1),所述GaN层(4)和其上的AlGaN层(3)之间形成了异质结二维电子气导电沟道(11),其特征在于：还包括设置在该AlGaN层(3)表面的沉孔结构(9)以及覆盖在AlGaN层(3)上表面、沉孔结构(9)的内壁和底面的上欧姆接触层(7),以及由设置在低电阻n型Si衬底层(6)底部的下欧姆接触层(14)形成的阴极(10),设置在该AlGaN层(3)上表面的上欧姆接触层(7)和该栅极(1)保持一定的距离；

所述低电阻n型Si衬底(6)的电阻率小于0.02Ω·cm。

2.根据权利要求1所述的功率型AlGaN/GaN肖特基二极管，其特征在于：该沉孔结构(9)从该AlGaN层(3)表面延伸至该Si衬底层(6)表面或者到Si衬底层(6)内部任意位置。

3.根据权利要求1所述的功率型AlGaN/GaN肖特基二极管，其特征在于：还包括设置在栅极(1)和A1GaN层(3)接触边缘之间的钝化层(8)。

4.根据权利要求1所述的功率型AlGaN/GaN肖特基二极管，其特征在于：所述上欧姆接触层(7)、下欧姆接触层(14)的材质是能够与AlGaN、GaN以及n型Si衬底形成欧姆接触的金属或者合金。

5.一种功率型AlGaN/GaN肖特基二极管制作方法，其特征在于：包括以下步骤：

A、将已经覆盖有缓冲层(5)、GaN层(4)以及AlGaN层(3)的低电阻n型Si衬底(6)清洗干净；

B、在所述AlGaN层(3)上表面涂覆光刻胶层，并通过光刻形成刻蚀窗口，刻蚀未被光刻胶覆盖部分，形成沉孔结构(9),并剥离光刻胶层(12);

C、在所述AlGaN层(3)上表面涂覆光刻胶层，并通过光刻形成上欧姆接触层蒸镀窗口，然后进行带胶蒸发，蒸发能够与A1GaN、GaN形成欧姆接触的金属或者合金，然后将光刻胶层剥离，再进行合金，形