CN101595568A 薄膜半导体装置的制作方法及薄膜半导体装置 （索尼株式会社）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公布说明书

[21]申请号200880003389.8

[51]Int.Cl.

H01L29/786(2006.01)

H01L21/336(2006.01)

HO1L51/05(2006.01)

[43]公开日2009年12月2日[11]公开号CN101595568A

[22]申请日2008.1.28

[21]申请号200880003389.8

[30]优先权

[32]2007.1.29[33]JP[31]017454/2007

[86]国际申请PCT/JP2008/0516962008.1.28

[87]国际公布WO2008/093854日2008.8.7

[85]进入国家阶段日期2009.7.29

[71]申请人索尼株式会社

地址日本东京都

共同申请人独立行政法人理化学研究所

[72]发明人野本和正平井畅一安田亮一八木岩三成刚生塚越一仁青柳克信

[74]专利代理机构北京市柳沈律师事务所代理人彭久云

权利要求书2页说明书11页附图4页

[54]发明名称

薄膜半导体装置的制作方法及薄膜半导体装置

[57]摘要

提供了一种底栅/底接触型薄膜半导体装置(1)的制造方法，其中该薄膜半导体装置(1)可以将栅极绝缘膜和薄膜半导体层之间的边界保持在优选的状态而不受源极/漏极电极的影响并因此可以不论精细的结构而具有优选的特性。第一栅极绝缘膜(7-1)形成为覆盖形成的基板(3)上的栅极电极(5)的状态。成对的源极/漏极电极(9)形成在第一栅极绝缘膜(7-1)上。此后，第二栅极绝缘膜(7-2)仅选择性地形成在从源极/漏极电极(9)露出的第一栅极绝缘膜(7-1)上。接着，形成与源极/漏极电极(9)接触的薄膜半导体层(11)以连续覆盖源极/漏极电极(9)、第二栅极绝缘膜(7-2)和第一栅极绝缘膜(7-1)。

(2)

(3)

(4)

(5)

200880003389.8权利要求书第1/2页

2

1、一种薄膜半导体装置的制作方法，特征在于：

在形成覆盖基板上的栅极电极的第一栅极绝缘膜并在该第一栅极绝缘膜上形成成对的源极/漏极电极之后，

仅在从该源极/漏极电极露出的该第一栅极绝缘膜上选择性地形成第二栅极绝缘膜，并且

形成薄膜半导体层，该薄膜半导体层经由该第二栅极绝缘膜从该源极/漏极电极到该第一栅极绝缘膜连续覆盖并与该源极/漏极电极接触。

2、根据权利要求1所述的薄膜半导体装置的制作方法，特征在于：

该第二栅极绝缘膜通过气相沉积形成，并且

在该源极/漏极电极上该第二栅极绝缘膜的气相沉积的孕育时间期间，该第二栅极绝缘膜仅气相沉积在该第一栅极绝缘膜上。

3、根据权利要求2所述的薄膜半导体装置的制作方法，特征在于：

由聚对二甲苯的衍生物构成的该第二栅极绝缘膜的气相沉积在采用有机材料构成的该第一栅极绝缘膜和采用金属材料构成的该源极/漏极电极的暴露表面上进行。

4、根据权利要求1所述的薄膜半导体装置的制作方法，特征在于：

该第二栅极绝缘膜通过涂敷形成，并且

涂敷液在该源极/漏极电极的表面被排斥，使得该涂敷液仅吸附在该第一栅极绝缘膜的表面上。

5、根据权利要求4所述的薄膜半导体装置的制作方法，特征在于：

在采用有机材料构成的该第一栅极绝缘膜和包含硅烷偶联剂的该源极/漏极电极的暴露表面上，通过涂敷用作该涂敷液的有机绝缘膜溶剂来进行通过涂敷的该第二栅极绝缘膜的形成。

6、一种薄膜半导体装置，包括：覆盖基板上的栅极电极的栅极绝缘膜、配置在该栅极绝缘膜上的成对的源极/漏极电极和从该源极/漏极电极到该栅极绝缘膜连续覆盖的薄膜半导体层，特征在于：

该栅极绝缘膜包括：

第一栅极绝缘膜，覆盖该栅极电极并在该第一栅极绝缘膜上设置有该源极/漏极电极；以及

200880003389.8权利要求书第2/2页

3

第二栅极绝缘膜，仅选择性地形成在至少在该源极/漏极电极之间从该源极/漏极电极露出的该第一栅极绝缘膜上。

7、根据权利要求6所述的薄膜半导体装置，特征在于：

该第二栅极绝缘膜的介电常数小于该第一栅极绝缘膜的介电常数。

8、根据权利要求6所述的薄膜半导体装置，特征在于：

该第一栅