CN108231899A 一种soi体接触器件及其制作方法 （上海集成电路研发中心有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN108231899A

(43)申请公布日2018.06.29

(21)申请号201711442683.6

(22)申请日2017.12.26

(71)申请人上海集成电路研发中心有限公司地址201210上海市浦东新区上海浦东张

江高斯路497号

申请人成都微光集电科技有限公司

(72)发明人宋雷

(74)专利代理机构上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275

代理人吴世华陈慧弘

(51)Int.CI.

HO1LHO1L

HO1L

29/78(2006.01)

29/06(2006.01)21/336(2006.01)

权利要求书1页

说明书4页附图4页

(54)发明名称

一种SOI体接触器件及其制作方法

(57)摘要

CN108231899A本发明公开了一种SOI体接触器件，自下而上依次包括衬底、绝缘埋层和有源区，所述有源区包括位于顶层硅中的源区、漏区、沟道、体接触、沟槽隔离，以及位于顶层硅之上的栅氧化层和栅极；所述沟槽隔离呈环形且位于有源区的外围，源区和漏区分别位于沟道的两侧，源区到漏区的方向为沟道方向；所述体接触位于沟道的另外两侧，且两个体接触的连线垂直于沟道方向；所述沟道上方覆盖栅氧化层Ⅱ,所述沟道和体接触之间的空隙以及靠近该空隙的体接触上覆盖栅氧化层I,且栅氧化层Ⅱ的厚度小于栅氧化层I的厚度；栅氧化层I和栅氧化层Ⅱ上沉积栅极。本发明提供的一种SOI体接触器件及其制作方法，

CN108231899A

CN108231899A权利要求书1/1页

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1.一种SOI体接触器件，其特征在于，自下而上依次包括衬底、绝缘埋层和有源区，其特征在于，所述有源区包括位于顶层硅中的源区、漏区、沟道、体接触、沟槽隔离，以及位于顶层硅之上的栅氧化层和栅极；所述沟槽隔离呈环形且位于有源区的外围，所述源区和漏区分别位于沟道的两侧，源区到漏区的方向为沟道方向；所述体接触位于沟道的另外两侧，且两个体接触的连线垂直于沟道方向；所述沟道上方覆盖栅氧化层Ⅱ,所述沟道和体接触之间的空隙以及靠近该空隙的体接触上覆盖栅氧化层I,且栅氧化层Ⅱ的厚度小于栅氧化层I的厚度；所述栅氧化层I和栅氧化层Ⅱ上沉积栅极。

2.根据权利要求1所述的一种SOI体接触器件，其特征在于，所述栅极为T型栅极或者H型栅极。

3.根据权利要求1所述的一种SOI体接触器件，其特征在于，所述栅氧化层I与沟道不重合。

4.根据权利要求1-3任一项所述的一种SOI体接触器件，其特征在于，所述体接触及其外围形成体接触掺杂，所述栅氧化层I与沟道之间的距离小于所述体接触掺杂与沟道之间的距离。

5.根据权利要求1所述的一种SOI体接触器件，其特征在于，所述栅氧化层Ⅱ和栅氧化层I为二氧化硅、氮化硅、二氧化铪中的一种或几种。

6.根据权利要求1所述的一种SOI体接触器件，其特征在于，所述栅氧化层I的厚度为4-10nm,所述栅氧化层Ⅱ的厚度为1-3nm。

7.根据权利要求1所述的一种SOI体接触器件，其特征在于，所述栅极为金属材料或者多晶硅。

8.一种SOI体接触器件的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

S01:提供SOI衬底，所述SOI衬底自下而上依次为衬底、绝缘埋层和顶层硅；

S02:在顶层硅的边缘形成环状的沟槽隔离；

S03:在沟槽隔离中间的顶层硅上方生长栅氧化层I;

S04:去除沟道上方的栅氧化层I;并在沟道上方生长栅氧化层Ⅱ,其中，栅氧化层Ⅱ的厚度小于栅氧化层I的厚度；

S05:在栅氧化层Ⅱ和栅氧化层I上沉积栅极，刻蚀掉多余的栅氧化层Ⅱ、栅氧化层I和栅极；

S06:形成侧墙、源漏掺杂、体接触掺杂和接触孔。

9.根据权利要求8所述的一种SOI体接触器件的制作方法，其特征在于，所述栅氧化层Ⅱ和栅氧化层I均采用干氧生长法或湿氧生长法或原位水汽生成法进行生长。

10.根据权利要求8所述的一种SOI体接触器件的制作方法，其特征在于，当器件为PMOS器件时，所述源区和漏区进行p型掺杂，所述体接触进行n型掺杂；当器件为NMOS器件时，所述源区和漏区进行n型掺杂，所述体接触进行p型掺杂。

CN108231899A说明书