CN108231810A 一种增加悬浮漏极电容的像素单元结构及制作方法 （上海集成电路研发中心有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN108231810A

(43)申请公布日2018.06.29

(21)申请号201711446761.X

(22)申请日2017.12.27

(71)申请人上海集成电路研发中心有限公司地址201210上海市浦东新区上海浦东张

江高斯路497号

申请人成都微光集电科技有限公司

(72)发明人顾学强奚鹏程

周伟范春晖王言虹

(74)专利代理机构上海天辰知识产权代理事务

所(特殊普通合伙)31275代理人吴世华陈慧弘

(51)Int.CI.

HO1L27/146(2006.01)

权利要求书1页说明书5页附图4页

(54)发明名称

一种增加悬浮漏极电容的像素单元结构及制作方法

31(57)摘要

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CN108231810A本发明公开了一种增加悬浮漏极电容的像素单元结构，包括设于衬底上的光电二极管、传输管和复位管，在传输管控制栅极以外的漏极上方和/或复位管控制栅极以外的漏极上方设有附加栅极，附加栅极的边界延伸至漏极以外的浅槽隔离上方，附加栅极通过薄栅氧层与漏极隔离，以形成附加栅极和有源区交叠电容，可在不增加悬浮漏极电容面积、即不减少光电二极管面积的情况下，增加悬浮漏极的电容。本发明还公开了

CN108231810A

CN108231810A权利要求书1/1页

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1.一种增加悬浮漏极电容的像素单元结构，其特征在于，所述像素单元至少包括设于衬底上的光电二极管、传输管和复位管，在所述传输管控制栅极以外的漏极上方和/或复位管控制栅极以外的漏极上方设有附加栅极，所述附加栅极的边界延伸至漏极以外的浅槽隔离上方，所述附加栅极通过第一栅氧层与漏极隔离，以形成附加栅极和有源区交叠电容。

2.根据权利要求1所述的增加悬浮漏极电容的像素单元结构，其特征在于，所述漏极上方连接设有漏极电极，所述附加栅极呈n形，并围绕漏极电极设置。

3.根据权利要求1所述的增加悬浮漏极电容的像素单元结构，其特征在于，所述附加栅极具有边墙结构。

4.根据权利要求1所述的增加悬浮漏极电容的像素单元结构，其特征在于，所述第一栅氧层采用薄栅氧工艺形成。

5.根据权利要求1所述的增加悬浮漏极电容的像素单元结构，其特征在于，所述附加栅极材料为多晶硅。

6.一种增加悬浮漏极电容的像素单元结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤SO1:提供一硅衬底，在所述硅衬底上形成光电二极管、浅槽隔离和第二栅氧层；

步骤SO2:通过光刻、湿法腐蚀工艺，去除靠近浅槽隔离的硅衬底表面区域的第二栅氧层；

步骤S03:通过薄栅氧氧化工艺，在去除第一栅氧层后的硅衬底表面区域形成第一栅氧层；

步骤SO4:通过栅极材料淀积和刻蚀、边墙材料淀积和刻蚀以及漏极注入工艺，在第二栅氧层上形成像素单元的传输管控制栅极及其边墙、复位管控制栅极及其边墙，在第二栅氧层和第一栅氧层交界区域的硅衬底中形成传输管漏极、复位管漏极，以及在传输管控制栅极以外的漏极上方的第一栅氧层上和/或复位管控制栅极以外的漏极上方的第一栅氧层上形成附加栅极及其边墙，使所述附加栅极的边界延伸至漏极以外的浅槽隔离上方，以在附加栅极及其边墙、第一栅氧层和漏极之间形成附加栅极和有源区交叠电容。

7.根据权利要求6所述的增加悬浮漏极电容的像素单元结构的制作方法，其特征在于，还包括：

步骤S05:通过后道金属互连工艺，在漏极上方形成漏极电极及金属互连结构；其中，先在步骤SO4中通过图形化形成n形的附加栅极，以在后续形成附加栅极对漏极电极的围绕设置。

8.根据权利要求6所述的增加悬浮漏极电容的像素单元结构的制作方法，其特征在于，所述第二栅氧层采用IO管厚栅氧工艺形成。

9.根据权利要求6所述的增加悬浮漏极电容的像素单元结构的制作方法，其特征在于，所述控制栅极、附加栅极材料为多晶硅。

10.根据权利要求9所述的增加悬浮漏极电容的像素单元结构的制作方法，其特征在于，所述硅衬底采用P型或N型，所述漏极采用N型注入，所述多晶硅采用N型掺杂。

CN108231810A说明书1/5页

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一种增加悬浮漏极电容的像素单元结构及制作方法

技术领域

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