CN101826545A 集成电路自对准三度空间存储阵列及其制作方法 （旺宏电子股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN101826545A

(43)申请公布日2010.09.08

(21)申请号201010129539.9

(22)申请日2010.03.03

(30)优先权数据

HO1L27/115(2006.01)HO1L21/82(2006.01)HO1L21/8247(2006.01)

61/209,1232009.03.03US12/692,7982010.01.25US

(71)申请人旺宏电子股份有限公司

地址中国台湾新竹科学工业园区力行路16

号

(72)发明人吕函庭

(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任公司11021

代理人汤保平

(51)Int.CI.

HO1L27/24(2006.01)

权利要求书3页说明书12页附图21页

(54)发明名称

集成电路自对准三度空间存储阵列及其制作方法

(57)摘要

CN101826545A一种三度空间存储装置，其包含利用绝缘材料分隔多个导电材料的条纹(strips)所形成的多个脊状叠层(ridge-shapedstacks),排列如位线，其可由解码电路(decoding