CN101845665A 初凝多晶硅定向生长铸锭的铸造装置及其制作方法和应用 （南阳迅天宇硅品有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN101845665A

(43)申请公布日2010.09.29

(21)申请号201010171200.5

(22)申请日2010.05.13

(71)申请人南阳迅天宇硅品有限公司

地址473200河南省南阳市方城县二朗庙后

林村

申请人华中科技大学

(72)发明人高文秀叶升平郝礼肖小峰

(74)专利代理机构华中科技大学专利中心

42201

代理人朱仁玲

(51)Int.CI.

C30B29/06(2006.01)

C30B28/06(2006.01)

B22D27/04(2006.01)权利要求书2页说明书4页附图3页

(54)发明名称

初凝多晶硅定向生长铸锭的铸造装置及其制作方法和应用

(57)摘要

CN101845665A一种初凝多晶硅定向生长铸锭的铸造工艺方法和所用装置，属于铸造技术领域。结合V法铸造铸型在传统铸造中保温效果最好的特点，该工艺使用V法铸型进行多晶硅的铸造生产。本发明装置分为上铸型1、下铸型2和冷却系统3共三部分。铸型内除有硅液腔6外，还留有一单独的预热金属液腔8。预热金属液腔8纵截面为上大下小的梯形，呈环状围绕于硅液腔6周围偏上部位。本发明的基本思路是在整个铸型下端通冷却水冷却，铸锭四周及上部使用硅液腔保温层7进行保温，并在铸型金属液腔内浇注金属液预热整个铸型，使铸型达到较高的温度，并形成一自上而下的

CN101845665A

CN101845665A权利要求书1/2页

2

1.一种初凝多晶硅定向生长铸锭的铸造装置，包括上铸型(1)、下铸型(2)和冷却系统(3),所述上铸型(1)上设有放置硅液浇口(4)和预热金属液浇口(5)的通孔，所述下铸型(2)位于上铸型(1)下部，其包含有硅液腔(6)、硅液腔保温层(7)和预热金属液腔(8),所述硅液腔(6)位于下铸型(2)中心，所述硅液腔保温层(7)嵌在下铸型(2)中，包围着所述硅液腔(6),所述预热金属液腔(8)呈环状槽形，围绕于所述硅液腔(6)周围，两者相互独立；所述冷却系统(3)设置在下铸型(2)底部，用于铸锭的冷却。

2.根据权利要求1所述的一种初凝多晶硅定向生长铸锭的铸造装置，其特征在于，所述预热金属液腔(8)用于对铸型进行预热，其纵截面为上宽下窄的梯形，使预热后的铸型能达到一定的初始温度并形成自上而下的温度梯度。

3.根据权利要求1或2所述的一种初凝多晶硅定向生长铸锭的铸造装置，其特征在于，所述的冷却系统(3)包括硅板(9)、石墨导热板(10)、密封板(11)和冷却板(12),所述硅板

(9)位于冷却系统(3)上部，浇注后直接和硅液接触，所述石墨导热板(10)贴合在硅板(9)下，用于导热，所述冷却板(12)紧贴于石墨导热板(10)下，以对该石墨导热板(10)进行冷却。

4.一种制作权利要求1-3之一所述的铸造装置的方法，包括如下步骤：

步骤一、组装冷却系统(3),即依次组装冷却板(12)、密封板(11)、石墨导热板(10)和硅板(9),形成冷却系统(3),其中所述石墨导热板(10)有部分嵌入硅液腔保温层(7)中，和密封板(11)一起保证硅液的底部密封；

步骤二、制作铸型

首先制作下铸型(2),其过程依次是：(I)将制作下铸型(2)用型板放置在抽气室上并定位；(II)将硅液腔保温层(7)套在型板中形成硅液腔(6)空间的凸起木块上，然后覆薄膜形成下铸型(2)的背膜；(III)将下铸型(2)的砂箱定位于型板上，填砂震实，制作预热金属液腔(8),覆盖薄膜形成下铸型(2)的面膜，即完成下铸型(2)的制作；

其次是制作上铸型(1),其在下铸型(2)的基础上制作，过程依次是：(I)在下铸型(2)上放置大小合适的薄膜，安置上砂箱并用螺栓将上下砂箱锁紧，在适合位置放置形成浇口通孔的木块；(II)填砂震实，覆薄膜；(III)取出木块，打通通孔处薄膜，插入两浇口，即完成上铸型(1)的制作；

步骤三、将步骤二做好的上铸型(1)和下铸型(2)装到步骤一做好的冷却系统(3)上，通过销钉定位，并将下铸型(2)和冷却系统(3)锁紧，即完成所述铸造装置的制作。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述制作预