CN101793855A 硅微纳米结构气体传感器及其制作方法 （北京师范大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN101793855A

(43)申请公布日2010.08.04

(21)申请号201010132786.4

(22)申请日2010.03.26

(71)申请人北京师范大学

地址100875北京市新街口外大街19号核

科学与技术学院

(72)发明人彭奎庆王新

(51)Int.CI.

GO1N27/12(2006.01)

C04B41/51(2006.01)

权利要求书1页说明书3页附图1页

(54)发明名称

硅微纳米结构气体传感器及其制作方法

(57)摘要

CN101793855A本发明公开了一种属于新材料技术领域的硅微纳米结构气体传感器及其制作方法。其特征在于采用金属催化硅腐蚀制备硅微纳米结构，适当添加铂(或金)等催化剂，可以制得对一氧化氮、二氧化氮等氮氧化合物气体、氨气等气体敏感的硅微纳米结构气体传感器。硅微纳米结构气体传

CN101793855A

CN101793855A权利要求书1/1页

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1.硅微纳米结构气体传感器及其制作方法，其特征在于：所述方法依次按如下步骤进行：

1)利用光刻(或者其它自组装技术)与真空热蒸发技术(或化学镀技术)在清洁硅表面沉积形成20-200nm厚的具有规则图案的有序银(或金)膜；

2)将步骤(1)得到的沉积有金属膜的硅片浸入含有HF+H?O?+H?O(也可以利用Fe(NO?)?等氧化剂替换腐蚀液中的H?O?)的密闭容器中，室温-50摄氏度之间处理4-180分钟，即可获得有序硅微纳米结构材料；

3)利用化学镀或者电镀等技术在步骤(2)得到硅微纳米结构材料表面沉积一层纳米铂(或金)颗粒，即可获得硅微纳米结构气敏材料；

4)在步骤(2)得到硅微纳米结构材料表面制备两个间隔一定距离的金属欧姆电极，引出外引线后即可成为一个简单的气体传感器元件；

5)在步骤(2)得到硅微纳米结构材料表面与背面各制备一个金属欧姆电极，引出外引线后即可成为一个简单的气体传感器元件；

6)在步骤(3)得到硅微纳米结构材料表面与背面各制备一个金属欧姆电极，引出外引线后即可成为一个简单的气体传感器元件；

7)在步骤(3)得到硅微纳米结构材料表面制备两个间隔一定距离的金属欧姆电极，引出外引线后即可成为一个简单的气体传感器元件。

2.根据权利要求1所述的硅微纳米结构气体传感器及其制作方法，其特征在于：所述步骤(2)氢氟酸浓度范围为0.2-10mol/L,过氧化氢浓度范围为0.02-2mol/L,硝酸铁含量在0.01mol/1-0.50mol/1之间。

3.根据权利要求1所述的硅微纳米结构气体传感器及其制作方法，其特征在于：所述步骤(2)制备的硅微纳米结构可以是硅微米线、硅微米洞、硅纳米线、硅纳米洞等阵列结构。

CN101793855A说明书1/3页

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硅微纳米结构气体传感器及其制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及一种硅微纳米结构气体传感器及其制作方法，属于新材料技术与纳米材料领域。

背景技术

[0002]由于工业生产和环境检测的迫切需要，气体传感器的研究和应用开发一直十分活跃。气体传感器是一种新型微量分析技术，它是把特定的气体种类及其浓度变成光电等信号来表示的功能元件。由于气体传感器灵敏度高，选择性好，携带方便和微型化，能用于现场分析和监控等特点，因此在环境监测、石油化工、以及日常生活中越来越多的被用来作为有害、易燃易爆气体的检测预报和自动控制装置。目前传统气体传感器存在的主要问题是灵敏度和选择性等特性不能满足超微量快速检测的要求，但是采用常规气体敏感材料很难达到超微量快速检测的水平。

[0003]最近的微纳米材料研究发现，当传感器材料进入微纳米尺度后，利用其表面效应和尺度效应可以大幅度提高传感器的探测灵敏度，从而为实现超微量快速检测传感器开辟了一条崭新的思路。微纳米气敏传感器具有常规传感器不可替代的优点：一是微纳米材料具有庞大的界面，提供了大量气体通道，从而大大提高了灵敏度；二是大大缩小了传感器的尺寸。微纳米技术为新型纳米气体传感器的发展提供了一系列优良的微纳米气敏功能材料，如纳米管、纳米带、纳米线，纳米多孔材料等。目前国内外纳米材料气