CN101847774A 薄膜式天线及其制作方法 （江国庆）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN101847774A

(43)申请公布日2010.09.29

(21)申请号200910129682.5

(22)申请日2009.03.26

(71)申请人江国庆

地址中国台湾台北县

申请人卿辉东

(72)发明人江国庆卿辉东

(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任公司11021

代理人周长兴

(51)Int.CI.

HO1Q1/00(2006.01)

HO1Q1/38(2006.01)

权利要求书2页说明书5页附图4页

(54)发明名称

薄膜式天线及其制作方法

气体进入口118腔体100

气体进入口118

腔体100

能量源

104

粒子112

基材110

加热器

108

气体排出口116

转轴至转轴式装置106

真空泵

114

靶材102

CN101847774A本发明公开一种薄膜天线，其特征在于采用物理气相沉积-滚轴式制备工艺，天线材质包含

CN101847774A

CN101847774A权利要求书1/2页

2

1.一种薄膜式天线制作方法，其包含：

以转轴至转轴式装置驱动基材移动，由蒸镀、物理性溅镀或沉积法形成天线薄膜于受驱动的该基材上；以机械力、蚀刻或激光施加于该天线薄膜以制作天线图案。

2.如权利要求1所述的薄膜式天线制作方法，其中，该天线薄膜包含选自下列族群之一或其组合：金、锌、银、钯、铂、铑、钌、铜、铁、镍、钴、锡、钛、铟、铝、钽、镓、锗及锑。

3.如权利要求1所述的薄膜式天线制作方法，其中，该天线薄膜包含铟锡氧化物或铟锌氧化物。

4.如权利要求1所述的薄膜式天线制作方法，其中，该天线薄膜包含导电高分子或纳米碳管。

5.如权利要求1所述的薄膜式天线制作方法，其中，包含对该基材包含PET、PC、PVC、

PI或PMMA。

6.如权利要求1所述的薄膜式天线制作方法，其中，包含形成缓冲层于该基材与该天线薄膜之间。

7.一种薄膜式天线制作方法，其包含：

提供具有天线薄膜附着于其上的软质基材，该软质基材上天线薄膜采用蒸镀、溅镀、沉积、喷墨、涂布或喷洒方式所制作；及

以机械力、蚀刻或激光施加于该天线薄膜以制作天线图案。

8.权利要求7所述的薄膜式天线制作方法，其中，所述天线薄膜以转轴至转轴式装置驱动该软质基材水平移动，使该天线薄膜形成于该软质基材上。

9.如权利要求7所述的薄膜式天线制作方法，其中，该天线薄膜包含选自下列族群之一或其组合：金、锌、银、钯、铂、铑、钌、铜、铁、镍、钴、锡、钛、铟、铝、钽、镓、锗及锑。

10.如权利要求7所述的薄膜式天线制作方法，其中，该天线薄膜铟锡氧化物或铟锌氧化物。

11.如权利要求7所述的薄膜式天线制作方法，其中，该天线薄膜包含导电高分子或纳米碳管。

12.如权利要求7所述的薄膜式天线制作方法，其中，该软质基材包含PET、PC、PVC、PI

或PMMA。

13.如权利要求7所述的薄膜式天线制作方法，其中，包含形成缓冲层于该软质基材与该天线薄膜之间。

14.一种薄膜式天线制作方法，其包含：

以转轴至转轴式装置驱动基材移动，由涂布、喷墨或喷洒天线溶液于受转轴至转轴式装置所驱动的基材上；以机械力、蚀刻或激光施加于该天线薄膜以制作天线图案。

15.如权利要求14所述的薄膜式天线制作方法，其中，该天线图案包含选自下列族群之一或其组合：金、锌、银、钯、铂、铑、钌、铜、铁、镍、钴、锡、钛、铟、铝、钽、镓、锗及锑。

16.如权利要求14所述的薄膜式天线制作方法，其中，该天线图案包含铟锡氧化物或铟锌氧化物。

17.如权利要求14所述的薄膜式天线制作方法，其中，该天线图案包含导电高分子或纳米碳管。

18.如权利要求14所述的薄膜式天线制作方法，其中，该基材包含PET、PC、PVC、PI或

CN101847774A权利要求书2/2页

3

PMMA。

19.如权利要求14所述的薄膜式天线制作方法，其中，包含形成缓冲层于该基材与该天线薄膜之间。

20.一种薄膜式天线制作装置，其包含：

物理性溅镀、沉积或蒸镀能量源，以利于产生溅镀、沉积或蒸镀粒子或气体；

转轴至转轴式装置，以驱动基材水平移动，藉由物理性溅镀、沉积或蒸镀天线薄膜于该