CN106653566A 一种硅锗纳米线的制作方法 （东莞市广信知识产权服务有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN106653566A

(43)申请公布日2017.05.10

(21)申请号201611072423.X

(22)申请日2016.11.29

(71)申请人东莞市广信知识产权服务有限公司地址523000广东省东莞市松山湖高新技

术产业开发区新竹路4号新竹苑13栋6

楼607室

申请人东莞华南设计创新院

(72)发明人刘丽蓉王勇丁超

(74)专利代理机构广东莞信律师事务所44332代理人曾秋梅

(51)Int.CI.

HO1L21/02(2006.01)

B82Y40/00(2011.01)

权利要求书1页说明书2页

(54)发明名称

一种硅锗纳米线的制作方法

(57)摘要

本发明公布了一种硅锗纳米线的制作方法，其步骤如下：(1)准备一硅半导体材料作为基片；

CN106653566A(2)在该硅基片上生长35纳米厚的硅锗半导体材料层；(3)在硅锗半导体材料层上生长SiO?介质层30纳米；(4)采用电子束光刻和ICP刻蚀的方法刻蚀出30纳米宽的SiO?纳米线；(5)以SiO?为掩膜刻蚀硅锗材料层和硅衬底；(6)采用氧气氛围下450度退火的方式，氧化该样品；(7)采用氢氟酸溶液腐蚀样品，腐蚀掉氧化硅；(8)循环进行步

CN106653566A

CN106653566A权利要求书1/1页

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1.一种硅锗纳米线的制作方法，其步骤如下：

(1)准备一硅半导体材料作为基片；

(2)在该硅基片上采用超高真空化学汽相沉积的方法生长30纳米厚的硅锗半导体材料层；

(3)在硅锗半导体材料层上采用PECVD的方法生长SiO?介质层30纳米；

(4)采用电子束光刻和ICP刻蚀的方法刻蚀出30纳米宽的SiO?纳米线；

(5)以SiO?为掩膜刻蚀硅锗材料层和硅衬底；

(6)在氧气氛围的退化炉内，在450度退火温度下，对样品进行退火，时间为1分钟；

(7)采用1:50的稀释的氢氟酸水溶液腐蚀样品，腐蚀掉氧化硅，腐蚀的时间为2分钟；

(8)循环进行步骤(6)和(7)5-6次；

(9)采用盐酸和氨水清洗样品，制成硅锗纳米线。

2.根据权利要求1所述的一种硅锗纳米线的制作方法，其特征在于硅锗半导体材料的原子比例为8:2,即为Sio.8Geo.2。

3.根据权利要求1所述的一种硅锗纳米线的制作方法，其特征在于氧气氛围的退化炉内退火可以使得锗材料表面2纳米进行氧化形成氧化锗材料。

CN106653566A说明书1/2页

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一种硅锗纳米线的制作方法

技术领域

[0001]本发明属于微电子制造领域，具体涉及一种应用于10纳米技术节点以后的硅锗纳米线器件结构的制作方法。

背景技术

[0002]基于硅的CMOS器件在沟道尺寸进一步缩小时面临着物理和技术挑战，同时硅材料的迁移率不足以满足更快、更低功耗的器件性能的要求。新器件与新结构被认为是突破硅基CMOS技术限制和物理限制，实现更高性能CMOS器件的关键。硅锗材料以其迁移率特性优于硅，集成工艺与硅CMOS技术兼容，硅锗材料被认为是一种最具前途的沟道材料之一。可以通过采用硅锗材料作为沟道，提升CMOS器件的性能。同时纳米线MOS器件被广泛认为是具有超高栅控能力的器件结构。为此研制采用硅锗沟道的纳米线MOS器件，以满足在10纳米技术节点以后的CMOS技术的要求。

发明内容

[0003]为了解决硅锗纳米线MOS器件的研制工艺难题，本发明提供一种硅锗纳米线的制作方法，

[0004]主要采用氧气氛围的退化炉内进行退火，将硅锗材料进行氧化，然后采用稀释的酸进行腐蚀，对纳米线结构进行细化，本发明操作简单，与常规的硅工艺兼容。本发明提出的制作方法满足了10纳米技术节点以后的硅锗纳米线器件的制作。

[0005]本发明提供的一种硅锗纳米线的制作方法，其具体步骤如下：

[0006](1)准备一硅半导体材料作为基片，并进行常规的有机清洗和RCA清洗；

[0007](2)将该清洗好的硅基片放入超高真空化学汽相沉积系统中，生长30纳米厚的Sio.8Geo.2半导体材料层；

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