CN106601775B Oled显示装置及其制作方法 （武汉华星光电技术有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN106601775B公告日2019.07.02

(21)申请号201611179978.4

(22)申请日2016.12.19

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN106601775A

(43)申请公布日2017.04.26

(73)专利权人武汉华星光电技术有限公司

地址430070湖北省武汉市东湖开发区高

新大道666号生物城C5栋

HO1L51/52(2006.01)

HO1L51/56(2006.01)

(56)对比文件

CN105932166A,2016.09.07,

CN102891265A,2013.01.23,

CN1838427A,2006.09.27,

US2008284326A1,2008.11.20,CN104576700A,2015.04.29,

JP2010034042A,2010.02.12,

(72)发明人汤金明倪晶

(74)专利代理机构深圳市德力知识产权代理事务所44265

代理人林才桂

(51)Int.CI.

H01L27/32(2006.01)

H01L51/50(2006.01)

审查员沈冬云

权利要求书3页说明书14页附图1页

(54)发明名称

OLED显示装置及其制作方法

(57)摘要

CN106601775B本发明提供一种OLED显示装置及其制作方法，通过在红、绿、蓝色OLED器件的阳极层中分别设置第一、第二、第三透明半导体层，并且将所述第一、第二、第三透明半导体层设置为不同的厚度来实现红、绿、蓝色OLED器件的发光效率分别达到最佳，所述第一、第二、第三透明半导体层通过利用三道掩膜板进行等离子体增强化学气相沉积的方法沉积形成，与传统的OLED显示装置相比，本发明中分别设置于红、绿、蓝色OLED器件中的空穴传输层的厚度相等，可以采用一道普通金属掩膜板在同一道蒸镀制程中形成，由于利用FMM沉积无机膜的技术相对于沉积有机膜的技术

CN106601775B

230

230300220310210

209

-208

-207

-206

205

-203

202250

~100

110213217

120

CN106601775B权利要求书1/3页

2

1.一种OLED显示装置，其特征在于，包括基板(100)、以及数个阵列排布于所述基板(100)上的红色OLED器件(210)、绿色OLED器件(220)及蓝色OLED器件(230);

所述红色OLED器件(210)、绿色OLED器件(220)及蓝色OLED器件(230)均包括在所述基板(100)上从下到上依次设置的第一透明导电金属氧化物层(201)、金属层(202)、透明半导体层(203)、第二透明导电金属氧化物层(204)、空穴注入层(205)、空穴传输层(206)、发光层(207)、电子传输层(208)及阴极层(209);

所述红色OLED器件(210)、绿色OLED器件(220)及蓝色OLED器件(230)的透明半导体层

(203)分别为第一透明半导体层(213)、第二透明半导体层(223)及第三透明半导体层

(233);

所述红色OLED器件(210)、绿色OLED器件(220)及蓝色OLED器件(230)的发光层(207)分别为红色发光层(217)、绿色发光层(227)及蓝色发光层(237);

所述第一、第二、第三透明半导体层(213、223、233)的材料相同，且折射率为np;所述第二透明导电金属氧化物层(204)的折射率为n?;所述空穴注入层(205)的折射率为nj;所述空穴传输层(206)的折射率为nT;所述红色发光层(217)发出的红光的峰值波长为λR,所述绿色发光层(227)发出的绿光的峰值波长为λG,所述蓝色发光层(237)发出的蓝光的峰值波长为λB;所述第一、第二、第三透明半导体层(213、223、233)的厚度分别定义为dRp、dGP、dBp,所述第二透明导电金属氧化物层(204)的厚度定义为d,所述空穴注入层(205)的厚度定义为dj,所述空穴传输层(206)的厚度定义为d;那么,所述dR