CN106409837A 存储器及其制作方法 （旺宏电子股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN106409837A

(43)申请公布日2017.02.15

(21)申请号201510445670.9

(22)申请日2015.07.27

(71)申请人旺宏电子股份有限公司

地址中国台湾新竹科学工业园区力行路16

号

(72)发明人赖二琨陈威臣李岱萤

(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任公司11021

代理人任岩

(51)Int.CI.

HO1L27/11521(2017.01)

HO1L29/423(2006.01)

HO1L21/28(2006.01)

权利要求书2页说明书12页附图27页

(54)发明名称

存储器及其制作方法

(57)摘要

CN106409837A本发明公开了一种存储器及其制作方法，该存储器元件包括第一绝缘层、第二绝缘层、隔离层、浮置栅电极、控制栅电极、通道层以及隧穿氧化层。第二绝缘层邻接第一绝缘层，且与第一绝缘层平行，并与第一绝缘层定义出层间空间。隔离层位于层间空间之中，并且与第一绝缘层夹一个非平角，而将层间空间区隔离成第一凹室和第二凹室。浮置栅电极位于第一凹室之中。控制栅电极位于第二凹室之中。通道层位于第一凹室的

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CN106409837A权利要求书1/2页

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1.一种存储器元件，包括：

一第一绝缘层；

一第二绝缘层，邻接该第一绝缘层，且与该第一绝缘层平行，并与该第一绝缘层定义出一第一层间空间(interlayerspace);

一第一隔离层，位于该第一层间空间之中，并且与该第一绝缘层夹一非平角，而将该第一层间空间区隔离成一第一凹室和一第二凹室；

一第一浮置栅电极(floatinggateelectrode),位于该第一凹室之中；

一第一控制栅电极，位于该第二凹室之中；

一通道层，位于该第一凹室的一第一开口外侧，且与该第一绝缘层夹一非平角；以及一隧穿氧化层(tunnelingoxidelayer),位于该通道层和该第一浮置栅电极之间。

2.根据权利要求1所述的存储器元件，更包括：

一第一衬里层(lininglayer)位于该第一凹室中，且与该第一绝缘层、该第二绝缘层和该第一隔离层接触；以及

一第二衬里层，位于该第二凹室中，且与该第一绝缘层、该第二绝缘层和该第一隔离层接触；以及

一栅介电层，位于该第一控制栅电极与该第一隔离层之间；其中该第一隔离层和该第一浮置栅电极环绕该通道层和该隧穿氧化层。

3.一种存储器元件的制作方法，包括：

提供一多层叠层结构(multi-layerstacks),使该多层叠层结构具有多个绝缘层和多个牺牲层相互叠层；

形成至少一第一贯穿开口，并贯穿该多层叠层结构，每一这些绝缘层和每一这些牺牲层部分地暴露于外；

进行一回蚀工艺，通过该第一贯穿开口移除一部分这些牺牲层，以通过剩余的这些牺牲层以及这些绝缘层来定义出多个第一凹室；

氧化每一这些牺牲层暴露于外的一部分，以于每一这些第一凹室中形成一隔离层；

形成多个浮置栅电极，分别填充每一这些第一凹室；

形成一隧穿氧化层，覆盖于这些绝缘层和这些浮置栅电极经由该第一贯穿开口暴露于外的部分上；

于该隧穿氧化层上形成一通道层；

形成至少一第二贯穿开口，贯穿该多层叠层结构，使每一这些绝缘层和每一这些牺牲层部分地暴露于外；

移除剩余的这些牺牲层，并将这些隔离层部分地暴露于外，藉以在这些绝缘层和这些隔离层之间定义出多个第二凹室；以及

形成多个控制栅电极，分别填充每一这些第二凹室。

4.根据权利要求3所述的存储器元件的制作方法，其中在形成这些浮置栅电极之前，更包括进行一氮化工艺，在这些绝缘层和这些隔离层经由这些第一凹室暴露于外的部分上形成一第一衬里层；

且形成这些浮置栅电极的步骤包括：

沉积一导电材质并填充该第一贯穿开口和这些第一凹室；以及

CN106409837A权利要求书2/2页

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进行一回蚀工艺，移除位于该第一贯穿开