CN106406061A 一种体全息元件及其制作方法和制作系统 （苏州苏大维格光电科技股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN106406061A

(43)申请公布日2017.02.15

(21)申请号201611033273.1

(22)申请日2016.11.16

(71)申请人苏州苏大维格光电科技股份有限公司

地址215000江苏省苏州市苏虹东路北钟

南街478号申请人苏州大学

(72)发明人浦东林陈林森朱鹏飞张瑾

(74)专利代理机构苏州华博知识产权代理有限公司32232

代理人黄珩

(51)Int.CI.

GO3HGO2BGO2B

1/02(2006.01)

5/32(2006.01)

5/18(2006.01)

权利要求书2页说明书8页

附图9页

(54)发明名称

一种体全息元件及其制作方法和制作系统

(57)摘要

CN106406061A本发明公开了一种体全息元件，其包括至少一像素化的信息层和至少一基材层，信息层设置于基材层上，或者信息层设置于相邻的两基材层之间；从体全息元件的剖面看，其信息层具有阵列分布的像素化的条纹面，每个像素内部的条纹面具有周期性，并且与基片平面具有夹角，每个像素为反射布拉格体光栅。本发明还公开了一种像素化反射体全息元件的制作方法和制作系统。本发明通过干涉光束调控、在体全息记录材料的感光层上进行像素化拼接曝光，经后续化学或物

CN106406061A

CN106406061A权利要求书1/2页

2

1.一种体全息元件，其特征在于，包括至少一像素化的信息层和至少一基材层，所述信息层设置于所述基材层上。

2.根据权利要求1所述的体全息元件，其特征在于，所述体全息元件的信息层剖面具有像素化的条纹面，所述条纹面具有周期性，并且条纹面与基材层所在的平面具有夹角。

3.根据权利要求2所述的体全息元件，其特征在于，所述条纹面与基材层所在的平面的夹角为0-85度之间。

4.根据权利要求2所述的体全息元件，其特征在于，每个所述条纹面的周期范围为130nm～5umm。

5.根据权利要求1所述的体全息元件，其特征在于，所述基材层设置有两层，所述信息层设置于两所述基材层之间。

6.根据权利要求1所述的体全息元件，其特征在于，还包括基片，所述信息层和所述基材层设置于所述基片上。

7.根据权利要求6所述的体全息元件，其特征在于，所述体全息元件还包括保护层，所述保护层设置于基材层和信息层相对于基片的另一侧。

8.根据权利要求1所述的体全息元件，其特征在于，所述基材层为薄膜或玻璃。

9.根据权利要求1所述的体全息元件，其特征在于，所述信息层为光致聚合物、重铬酸明胶、卤化银材料或者光折变玻璃基片的任意一种全息感光材料。

10.根据权利要求9所述的体全息元件，其特征在于，所述信息层的厚度10um-150um,其体全息记录材料的可感光范围400nm-650nm。

11.一种如权利要求1所述的体全息元件制作方法，其特征在于，通过至少两束细光束从体全息记录材料的两面分别入射，形成干涉区域，记录体光栅像素，材料与像素步进移动，通过二维拼接记录，完成具有一定幅面的反射体全息元件制作。

12.根据权利要求11所述的体全息元件制作方法，其特征在于，入射的光束有两个角度参数，一是入射光束与材料表面法线的夹角θ,二是入射光束的方向角α,入射光路的入射点为o,0和α这两个参数确定了入射光束的方向，第一入射光束和第二入射光束的入射角度参数分别为θ1、a1和02、a2,01、α1和θ2、a2,结合体光栅像素的坐标x、y,形成了六个独立变量，根据预先设计的数据规律量化这些变量之间的对应关系，将体光栅像素拼接记录。

13.根据权利要求11所述的体全息元件制作方法，其特征在于，所述体全息记录材料为银盐乳剂、重铬酸盐明胶、光折变玻璃、光折变晶体或光致聚合物的任意一种。

14.一种如权利要求1所述体全息元件的制作系统，其特征在于，包括：

光源；

外光路，用于实现反射、分束、扩束基本功能的光路结构；

至少两光束调控单元，用于实现全息记录光束的角度的调节，并且在调控过程中保持记录点位置不变；

载物台，用于放置体全息记录材料，作步进运动，实现像素拼接功能；

控制单元，根据预先给定的数据，发出相应的调控指令；

驱动单元，接收控制单元的指令，实现驱动作用。

15.根据权利要求14所述的体全息元件制作系统，其特征在于，所述光源为激光器。

16.根据权利要求1