微光机电系统实验指导书-2024.pdfVIP

《微光机电系统》

课程实验指导书

佘引李东玲编著

光电工程学院

2024年11月

实验一微光机电器件工艺设计

一、实验目的

通过本实验的学习，能够使本专业学生对微纳加工工艺有进一步的认识，掌握微纳加工技术常用工

艺和微光机电器件工设计基本方法。

二、实验原理

2.1器件设计流程

器件的诞生过程分为设计、制造和封装三个步骤，如图1所示。

图1器件设计和制作流程

2.2器件设计常用工

热氧化：硅基半导体制造基础工艺之一，是氧分子或水分子在高温（750℃~1100℃）下与硅发生化

学反应，并在硅片表面生长氧化硅的过程，对硅片起保护、钝化、绝缘、缓冲介质等作用。热氧化分为

干氧、湿氧和水汽氧化，其化学反应式为：

干氧氧化:Si+O→SiO

22

湿氧氧化：Si+HO+O→SiO+H

2222

水汽氧化：Si+HO→SiO+H

222

干氧氧化制作的二氧化硅层结构致密，均匀性、重复性好，掩蔽能力强，对光刻胶的黏附性好，但

生长速率较慢。湿氧氧化速率快，但膜层致密性较差。一般采用“干-湿-干”氧化的方法

是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，该步骤利用曝光和显影在光刻胶层上刻画几何图

光刻：

形结构，然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。根据显影后的效果，光刻胶可以分为

-1-

正性光刻胶和负性光刻胶两大类。正性光刻胶：曝光前对显影液不可溶，曝光后曝光部分溶解于显影液，

形成的图形与掩膜版遮光区相同。正胶分辨率较高，在超大规模集成电路中一般都采用正胶。负性光刻

胶：显影时未曝光部分溶解于显影液，形成的图形与掩膜版遮光区相反。与正胶相比，分辨率差，适合

加工线条在3μm以上的图