CN106373884B 复合栅介质GaN基绝缘栅高电子迁移率晶体管的制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN106373884B公告日2019.12.24

(21)申请号201610807890.6

(22)申请日2016.09.08

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN106373884A

(43)申请公布日2017.02.01

(73)专利权人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市雁塔区太白南

路2号

(72)发明人祝杰杰马晓华郝跃侯斌杨凌

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

61205代理人王品华

(51)Int.CI.

HO1L21/335(2006.01)

HO1L21/285(2006.01)

HO1L21/02(2006.01)

HO1L29/423(2006.01)

HO1L29/51(2006.01)

(56)对比文件

CN101465372A,2009.06.24,说明书第3页第15-30行及图2.

CN105336789A,2016.02.17,权利要求10,

说明书第0005、0013、0015、0022、0023段.

US2010320474A1,2010.12.23,全文.

CN103137476A,2013.06.05,全文.

Jie-JieZhu,etal.Comparativestudyon

interfaceandbulkchargesinAlGaN/GaN

metal-insulator-semiconductor

heterostructureswithAl203/AlNlaminateddielectrics.《JapaneseJournalofAppliedPhysics》.2015,

审查员李海龙

权利要求书2页说明书11页附图1页

(54)发明名称

复合栅介质GaN基绝缘栅高电子迁移率晶体管的制作方法

(57)摘要

CN106373884B本发明公开了一种复合栅介质GaN基绝缘栅高电子迁移率晶体管的制作方法，主要解决现有同类器件可靠性低的问题。其制作过程为：在外延基片上制作源、漏电极和有源区电隔离，并生长SiN钝化层；在SiN钝化层上光刻并刻蚀栅槽区域；在栅槽和SiN钝化层上生长AlN介质层，并利用热氧化或等离子辅助氧化工艺将AlN介质层氧化为Al0N复合栅介质层；在栅介质层上制作栅电极；在栅电极和栅电极区域外的栅介质层上生长SiN保护层；在SiN保护层上光刻并刻蚀金属互联开孔区；在互联开孔区和未开孔刻蚀的SiN保护层上制作金属互联层，完成器件制作。本发明改

CN106373884B

在外延基片上制作源

在外延基片上制作源电极和漏电极

在SiN钝化层上光刻并刻蚀栅槽区域

在完成栅槽刻蚀的样品上生长AIN介质层

在完成栅电极的样品上生长SiN保护层

在SiN保护层上光刻并刻蚀互联开孔区域

在GaN帽层上制作有源区的电隔离

在完成电隔离的样品上生长SiN钝化层

在AIN介质层上制备AION复合栅介质层

在栅介质层上制作栅电极

光刻并蒸发金属互联层，完成器件制作

CN106373884B权利要求书1/2页

2

1.一种复合栅介质GaN基绝缘栅高电子迁移率晶体管的制作方法，包括如下步骤：

1)在自下而上的依次包括衬底、A1N成核层、GaN缓冲层、AlN插入层、AlGaN势垒层和GaN帽层外延基片的GaN缓冲层上制作源电极和漏电极；

2)在GaN帽层上光刻有源区的电隔离区域，利用感应耦合等离子刻蚀ICP工艺或离子注入工艺制作器件有源区的电隔离；

3)在源电极、漏电极和有源区的GaN帽层上，利用等离子增强化学气相沉积PECVD工艺生长SiN钝化层；

4)在SiN钝化层上光刻栅槽区域，并利用ICP工艺对该栅槽区域内的SiN钝化层进行刻蚀，刻蚀深度至GaN帽层；

5)在栅槽区域的GaN帽层和栅槽区域以外的SiN钝化层上，利用等离子增强原子层沉积PEALD工艺生长厚度为5nm～10nm的A1N介质层；

6)在AlN介质层上，利用热氧化工艺将A1N介质层氧化为厚度为5nm～10nm的A10N复合

栅介质层，其氧化的工艺条