CN106335871A 一种硅基mems微纳通孔结构的制作方法 （北京遥测技术研究所）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN106335871A

(43)申请公布日2017.01.18

(21)申请号201610786575.X

(22)申请日2016.08.30

(71)申请人北京遥测技术研究所

地址100076北京市丰台区北京市9200信

箱74分箱

申请人航天长征火箭技术有限公司

(72)发明人焦海龙赵广宏李文博金小锋张世名邹江波

(74)专利代理机构中国航天科技专利中心

11009

代理人范晓毅

(51)Int.CI.

B81C1/00(2006.01)

权利要求书2页说明书4页附图3页

(54)发明名称

一种硅基MEMS微纳通孔结构的制作方法

(57)摘要

CN106335871A101001102103一种硅基MEMS微纳通孔结构的制作方法，涉及一种硅通孔结构的实现方法领域；在硅衬底材料的正面沉积二氧化硅薄膜并进行通孔图形转移，在硅衬底材料的背面沉积金属薄膜层和涂覆光刻胶薄膜层；二氧化硅薄膜的通孔图形转移采用三氟甲烷RIE干法刻蚀的方法；硅干法刻蚀的前处理步骤包括氧气RIE刻蚀清洗和三氟甲烷RIE干法刻蚀清洗，然后再进行硅的干法深刻蚀；克服现有干法