CN106158926A 半导体装置及其制作方法 （台达电子工业股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN106158926A

(43)申请公布日2016.11.23

(21)申请号201610313279.8

(22)申请日2016.05.12

(30)优先权数据

62/160,1422015.05.12US

(71)申请人台达电子工业股份有限公司地址中国台湾桃园市

申请人中央大学

(72)发明人杨竣杰綦振瀛李庚谚

(74)专利代理机构隆天知识产权代理有限公司

72003

代理人张福根冯志云

(51)Int.CI.

HO1L29/06(2006.01)

HO1L29/778(2006.01)

HO1L21/335(2006.01)

权利要求书2页说明书9页附图5页

(54)发明名称

半导体装置及其制作方法

(57)摘要

CN106158926A本揭露的一实施方式提供一种半导体装置。该半导体装置，包含：一通道层、一AlxIn?xN层在该通道层之上且有一厚度t1、一反极化层在该AlxIn?xN层之上且有一厚度t2。该厚度需介于0.5×t1≤t2≤3×t1。本揭露的另一实施方式提供一种制造半导体装置的方法。该方法包括形成一通道层于一基板之上；形成一AlxIn?xN层在该通道层之上且有一厚度t1;形成一反极化层在该AlxIn?xN层之上且有一厚度t2

CN106158926A

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CN106158926A权利要求书1/2页

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1.一种半导体装置，其包含：

一通道层；

一AlxIn?-xN层，其位于该通道层之上且具有一厚度t1,以及

一反极化层，其位于该AlxIn1-xN层之上且具有一厚度t2,其中，0.5×t1≤t2≤3×t1且0≤x1。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该通道层包含氮化镓(GaN)、氮化铟镓(InGaN)、氮化铝铟镓(AlInGaN)、氮化铝镓(AlGaN),或其组合。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该反极化层包含氮化镓(GaN)、氮化铟镓(InGaN)、氮化铝铟(AlyIn1-yN)、氮化铝铟镓(AlInGaN),或其组合。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中xy。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该反极化层的极化场小于该AlxIn?-xN层的极化场。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，还包含一由A1N组成的间隙层，其介于该通道层与该AlxIn1-xN层之间并且具有一厚度t3,其中t3介于0.5纳米与2.5纳米之间。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，还包含：

一栅极，其位于该反极化层之上；

一源极和一漏极，其分别位于该栅极两端并位于该AlxIn?-xN层之上；

一源极接触，其位于该源极之上；以及

一漏极接触，其位于该漏极之上。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中该栅极包含镍、铝、钛、金、钨、氮化钛，或其组合。

9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中该源极接触及该漏极接触系分别包含镍、铝、钛、金、钨、氮化钛，或其组合。

10.根据权利要求7所述的半导体装置，还包含一凹陷于该反极化层之中，且该栅极位于该凹陷之中。

11.根据权利要求7所述的半导体装置，还包含一栅极场板于该反极化层之上且与该栅极的侧壁相连接。

12.根据权利要求7所述的半导体装置，还包含一源极场板于该栅极之上且与该源极接触有物理性接触。

13.根据权利要求11所述的半导体装置，还包含一绝缘层包围该栅极及该栅极场板且其包含二氧化硅、氮化硅、氧化铝、二氧化铪、二氧化钛，或其组合。

14.根据权利要求13所述的半导体装置，还包含一凹陷于该反极化层之中，其中该栅极与部分该绝缘层填入该凹陷之中。

15.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

一缓冲层由一氮化铝/氮化镓铝(A1N/AlGaN)复合层组成并且厚度约为1.25微米；该通道层由一氮化镓(GaN)层组成并且厚度约为2.5微米；

一间隙层由一氮化铝(A1N)层组成并且厚度约为1纳米；

该AlxIn1-xN层由一Alo.89Ino.11N层组成并且厚度约为10纳米；以及

该反极化层由一GaN层组成并且厚度约为5到26纳米。

CN106158926A