CN107408492B 用于制作基于第iii族元素氮化物的钝化半导体结构的方法以及这样的结构 （国家科研中心）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN107408492B公告日2020.10.16

(21)申请号201680013729.X

(22)申请日2016.01.21

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN107408492A

(43)申请公布日2017.11.28

(30)优先权数据01.21FR

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2017.09.05

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/FR2016/0501242016.01.21

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2016/116713FR2016.07.28

(73)专利权人国家科研中心地址法国巴黎

(72)发明人F·西蒙德E·傅雷斯奈特J·迈西斯

(74)专利代理机构中国贸促会专利商标事务所有限公司11038

代理人郭思宇

(51)Int.CI.

H01L21/02(2006.01)

(56)对比文件

JP2005005658A,2005.01.06

CN1825539A,2006.08.30

CN1855370B,2010.09.22

审查员王雪梅

权利要求书2页说明书10页附图4页

(54)发明名称

用于制作基于第III族元素氮化物的钝化半导体结构的方法以及这样的结构

(57)摘要

CN107408492B本发明涉及用于制作半导体结构的方法，其特征在于，该方法包括沉积连续地覆盖基于第III族元素氮化物的层的整个表面的钝化结晶层的步骤(201),所述钝化结晶层由含有硅原子和氮原子流的前体沉积，由与基于第III族元素氮化物的层的表面结合并且以周期性布置被布置的硅原子构成，使得通过电子沿方向[1-100]的掠入射衍射获得的所述钝化结晶层的衍射图像包括：中心线(0,0)与整数阶线(0,-1)之间的两个非整数阶衍射线(0,-1/3)和(0,-2/3);以及中

CN107408492B

110

110

沉积AIN层

形成缓冲层

100

沉积AIGaN层

沉积钝化层1×3

201

120

CN107408492B权利要求书1/2页

2

1.一种用于制作钝化半导体结构的方法，所述钝化半导体结构形成基于第III族元素氮化物的结构的支撑体，其特征在于，所述方法包括沉积(201)用于覆盖半导体结构的基于第III族元素氮化物的层的整个表面的钝化结晶层(31)的步骤，所述钝化结晶层由含有硅原子和氮原子流的前体沉积，并且，所述钝化结晶层(31)由与基于第III族元素氮化物的层的表面结合并且沿着结晶方向[1-100]呈现三重周期性的硅和氮原子构成，以使得通过电子沿结晶方向[1-100]的掠入射衍射获得的所述钝化结晶层的衍射图像包括：

-中心线(0,0)和整数阶线(0,-1)和(0,1);

-中心线(0,0)与整数阶线(0,-1)之间的两个非整数阶衍射线(0,-1/3)和(0,-2/3);以及

-中心线(0,0)和整数阶线(0,1)之间的两个非整数阶衍射线(0,1/3)和(0,2/3),

-中止钝化结晶层的沉积并获得形成基于第III族元素氮化物的结构的支撑体的钝化半导体结构，当所述非整数阶线的发光强度最大时钝化结晶层的沉积的步骤中止，中止的时间对应于钝化结晶层(31)对基于第III族元素氮化物的层的表面的完全覆盖率。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，钝化结晶层沿结晶方向[1-210]呈现单一周期性，使得通过电子沿结晶方向[1-210]的掠入射衍射获得的所述钝化结晶层的衍射图像包括在其间没有非整数阶线的中心线(0,0)与整数阶线(0,-1)和(0,1)。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述钝化结晶层由硅和氮原子构成，所述硅和氮原子与基于第III族元素氮化物的层的表面结合，并且以关于第III族元素氮化物层的晶格网络旋转30°的六方周期性布置和为基于第III族元素氮化物的层的晶格网络的晶格参数的√3倍的晶格参数进行布置。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积钝化结晶层的步骤包含超真空沉积。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，沉积钝化结晶层的步骤包含通过分子束外延的沉积。

6.根据权利要求5所述的方法，包括通过在沉积钝化结晶层的步骤期间电子沿结晶方向[1-100]