原创力文档摘要
第三代自旋轨道力矩SOT-MRAM是通过强自旋轨道耦合材料的自旋轨道
效应产生纯自旋流，与铁磁层磁矩相互作用，实现相邻铁磁层的磁矩快速翻转。
与传统的电流磁感应场和STT写入方式相比，SOT的写入电流仅需通过具有强
自旋轨道耦合效应的金属层，无需穿过MTJ区域，从而显著降低了写入能耗并
-
提高了
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