CN107393984A 一种提高光吸收率的量子阱红外探测器及其制作方法 （上海集成电路研发中心有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN107393984A

(43)申请公布日2017.11.24

(21)申请号201710498996.7

(22)申请日2017.06.27

(71)申请人上海集成电路研发中心有限公司地址201210上海市浦东新区张江高斯路

497号

(72)发明人康晓旭

(74)专利代理机构上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275

代理人吴世华陈慧弘

(51)Int.CI.

HO1L31/0352(2006.01)

HO1L31/101(2006.01)

HO1L31/18(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图2页

(54)发明名称

一种提高光吸收率的量子阱红外探测器及其制作方法

(57)摘要

CN107393984A本发明公开了一种提高光吸收率的量子阱红外探测器及其制造方法，其中，量子阱红外探测器包括衬底、掺杂衬底、量子阱单元、谐振腔、上电极、上电极连接层和下电极，所述上电极覆盖在所述衬底的上方，所述谐振腔位于所述上电极和量子阱单元的中间，且高度为入射光波长的1/4,所述量子阱单元和所述上电极在谐振腔之外区域连接，所述量子阱单元的上方为掺杂衬底，所述下电极安装在掺杂衬底上方，其中通过离子注入工艺形成掺杂衬底。本发明提供的量子阱红外探测器在量子阱单元和衬底之间增加了谐振腔，并且谐振腔的高度为入射光波长的1/4,刚好使得从量子阱单元透射到衬底中的透射光

CN107393984A

CN107393984A权利要求书1/1页

2

1.一种提高光吸收率的量子阱红外探测器，其特征在于，包括衬底、掺杂衬底、量子阱单元、谐振腔、上电极、上电极连接层和下电极，所述上电极覆盖在所述衬底的上方，所述谐振腔位于所述上电极的上方，且高度为入射光波长的1/4,所述谐振腔的上方为量子阱单元，所述量子阱单元和所述上电极在谐振腔之外区域连接，所述量子阱单元的上方为掺杂衬底，所述上电极连接层贯穿谐振腔以外区域的谐振腔、量子阱单元和掺杂衬底，连接所述上电极，所述下电极安装在掺杂衬底上方。

2.根据权利要求1所述的一种提高光吸收率的量子阱红外探测器，其特征在于，所述量子阱单元为GaAs层和AlxGa1-xAs层交替形成，其中，AlxGa1-xAs层的厚度小于GaAs层的厚度，且所述量子阱单元的最上层和最下层均为GaAs层。

3.根据权利要求1所述的一种提高光吸收率的量子阱红外探测器，其特征在于，所述量子阱单元为InGaAs层和AlxGa1-xAs层交替形成，其中，AlxGa?-xAs层的厚度小于InGaAs层的厚度，且所述量子阱单元的最上层和最下层均为InGaAs层。

4.根据权利要求1所述的一种提高光吸收率的量子阱红外探测器，其特征在于，所述量子阱单元为Si层和SixGe?-x层交替形成，其中，SixGe?-x层的厚度小于Si层的厚度，且所述量子阱单元的最上层和最下层均为Si层。

5.根据权利要求1所述的一种提高光吸收率的量子阱红外探测器，其特征在于，所述上电极和量子阱连接区域通过离子注入方式形成上电极欧姆接触层。

6.根据权利要求1所述的一种提高光吸收率的量子阱红外探测器，其特征在于，所述上电极为Al。

7.根据权利要求1所述的一种提高光吸收率的量子阱红外探测器，其特征在于，所述下电极为A1或Pt。

8.根据权利要求1所述的一种提高光吸收率的量子阱红外探测器，其特征在于，所述衬底为硅衬底。

9.一种制作权利要求1所述的提高光吸收率的量子阱红外探测器的方法，步骤如下：

S01:在临时衬底上方经过离子注入，形成位于临时衬底表层的掺杂衬底；

SO2:在掺杂衬底上方通过外延生长法形成量子阱单元；

S03:在量子阱单元上方沉积牺牲层，且牺牲层的厚度为入射光波长的1/4;

S04:在牺牲层的边缘图形化填充上电极，且在牺牲层正上方覆盖一层上电极；

S05:将上电极键合在衬底上，并去除临时衬底中掺杂衬底以外的部分；

S06:在掺杂衬底上制作下电极，刻蚀掺杂衬底的边缘区域停止于上电极，并填充上电极连接层；

S07:刻蚀掉牺牲层，形成谐振腔。

10.根据权利要求9所述的制造提高吸收率的量子阱红外探测器的方法，其特征在于，所述临时衬底为硅衬底，且临时衬底表层的掺杂衬底通过注入磷离子或者硼离子形成