CN107275406A 一种碳化硅TrenchMOS器件及其制作方法 （电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN107275406A

(43)申请公布日2017.10.20

(21)申请号201710433417.0HO1L21/336(2006.01)

(22)申请日2017.06.09

(71)申请人电子科技大学

地址611731四川省成都市高新区(西区)

西源大道2006号

(72)发明人张金平邹华刘竞秀李泽宏任敏张波

(74)专利代理机构成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232

代理人葛启函

(51)Int.CL.

HO1LHO1L

HO1LHO1L

29/78(2006.01)29/423(2006.01)29/06(2006.01)

29/16(2006.01)

权利要求书4页说明书13页附图9页

(54)发明名称

一种碳化硅TrenchMOS器件及其制作方法

(57)摘要

CN107275406A本发明公开了碳化硅TrenchMOS器件及其制作方法，属于功率半导体技术领域。本发明通过在外延层内部增设凸型多晶硅区，并