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籽晶法制备GaInSb晶体的生长工艺和光电性能研究.pdf

籽晶法制备GaInSb晶体的生长工艺和光电性能研究.pdf

    摘要

    GaInSb作为Ⅲ-Ⅴ族半导体材料，凭借其晶格常数与禁带宽度的双可调特

    1-xx

    性，在红外光电、量子器件及热光伏领域具有重要应用价值。通过调节Ga/In组

    分比例可实现与其他Ⅲ-Ⅴ族材料的晶格匹配，为异质结器件提供理想衬底。然而

    单晶生长过程中存在显著挑战：In元素因低平衡分凝系数(0.2)导致组分偏析，以

    及热应力引发的高位错密度缺陷，严重影响材料电学性能。采用籽晶定向生长技

    术可有效提高晶体生长质量，本文首先通过有限元法模拟了籽晶-移动加热器法

    (THM

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