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集成电路版图设计教学大纲

目录

一、课程开设目的与要求2

二、教学中应注意的问题2

三、教学容2

第一章半导体器件理论基础2

第二章集成电路制造工艺2

第三章操作系统与华大九天软件3

第四章电阻3

第五章电容和电感3

第六章二极管与外围器件3

第七章双极型晶体管4

第八章MOS场效应晶体管4

第九章集成电路版图设计实例4

四、教学课时分配4

五、实践环节安排5

六、教材及参考书目6

课程名称：集成电路版图设计

课程编号：055514

英文名称:ICLayoutDesign

课程性质：独立设课

课程属性：专业课

应开学期：第4学期

学时学分：课程总学时--48,其中实验学时一8。课程总学分一3

学生类别：本科生

适用专业：电子科学与技术专业的学生。

先修课程：大学物理、电磁场、微电子工艺等课程。

一、课程开设目的与要求

本课程是电子科学与技术专业所开设的一门专业基础课。通过本课程的学习,

使学生掌握集成电路版图设计的基本原理和方法。理解集成电路中常用电子元器

件的版图设计基本原理，学会应用相关集成电路设计软件进行版图设计的方法。

掌握华大九天集成电路设计软件的使用方法。学会电路分析和版图设计的基本方

法。为学生进一步学习有关集成电路设计等方面的课程打下良好的理论基础。

二、教学中应注意的问题

本课程的需要学生掌握一些基本的集成电路设计的概念和微电子工艺的基

本知识，而学生的微电子工艺课程尚未完全学完，故教学中应引起注意，可适当

延伸讲授，重在培养学生使用软件设计、分析和版图设计的能力。最好是能够采

取边讲边练的方式授课。

三、教学容

第一章半导体器件理论基础

重点与难点：重点在于PN结和MOS场效应晶体管的结构与特性.难点在

于MOS场效应晶体管的工作原理。

基本要求：

要求掌握半导体器件的基本理论基础，包括半导体的电学特性，PN结的结

构与特性，MOS场效应晶体管和双极型晶体管特性。

U半导体的电学特性

1.2PN结的结构与特性

1.3MOS场效应晶体管

1.4双极型晶体管

第二章集成电路制造工艺

重点与难点：重点在于CMOS集成电路工艺流程。难点在于工艺变化对于

MOS器件电学特性的影响。

基本要求：

掌握集成电路制造工艺的基本工艺流程。掌握各个工艺制备步骤或技术在集

成电路制造中的目的和基本作用，形成一个CMOS集成电路工艺流程的基本概

念。具体的工艺技术在微电子工艺课程中讨论。

2.1硅片制备

2.2外延工艺

2.3氧化工艺

2.4掺杂工艺

2.5薄膜制备工艺

2.6光刻技术

2.7刻蚀工艺

2.8CMOS集成电路基本工艺流程

第三章操作系统与华大九天软件

重点与难点：重点在于linux系统和华大九天软件。难点在于linux参数的

使用。

基本要求：

掌握linux系统的使用方法，华大九天软件的DM管理器，电路原理图的画

法，符号图的画法以及电路的前仿真方法，版图的基本设计界面等。

3.1Unix操作系统

3.2Linux操作系统

3.3虚拟机

3.4Cadene软件

补充：华大九天软件

第四章电阻

重点与难点：重点在于集成电路电阻的设计和计算方法。难点在于工艺误差

对于电阻计算的影响。

基本要求：

掌握方块电阻的概念，集成电路电阻的设计和计算方法。会用软件设计多晶

硅电阻、阱电阻。

4.1概述

4.2电阻率和方块电阻

4.3电阻的分类与版图

4.4电阻设计依据

4.5电阻匹配规