CN107861240B 曲面基底多层衍射光学元件的制作方法及装置 (北京理工大学).docxVIP

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CN107861240B 曲面基底多层衍射光学元件的制作方法及装置 (北京理工大学).docx

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN107861240B公告日2019.08.27

(21)申请号201610868536.4

(22)申请日2016.09.29

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN107861240A

(43)申请公布日2018.03.30

(73)专利权人北京理工大学

地址100081北京市海淀区中关村南大街5

号北京理工大学

(72)发明人刘娟马赫李昕

(74)专利代理机构北京路浩知识产权代理有限公司11002

代理人李相雨

(51)Int.CI.

G02B27/00(2006.01)

G02B27/42(2006.01)

(56)对比文件

CN104090317A,2014.10.08,

CN104884265A,2015.09.02,

CN101576627A,2009.11.11,

CN103068526A,2013.04.24,

WO2014196322A1,2014.12.11,

RanTianetal..Designand

fabricationofcomplicateddi

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