CN105932156A 一种印刷制作有机场效应晶体管的方法 （南京邮电大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN105932156A

(43)申请公布日2016.09.07

(21)申请号201610286716.1

(22)申请日2016.05.03

(71)申请人南京邮电大学

地址210023江苏省南京市栖霞区文苑路9

号

(72)发明人赖文勇黄维林燕刘城芳

(74)专利代理机构南京经纬专利商标代理有限公司32200

代理人叶连生

(51)Int.CI.

HO1L51/05(2006.01)

HO1L51/40(2006.01)

权利要求书1页说明书3页附图1页

(54)发明名称

一种印刷制作有机场效应晶体管的方法

(57)摘要

CN105932156A本发明公开了一种印刷制作有机场效应晶体管的方法，具体是一种插入离子自组装层作为电极修饰层大幅改善喷墨打印制作有机场效应晶体管(OFET)器件性能的方法。所采用的器件结构是底栅底接触结构：栅极/绝缘层/绝缘层修饰层/源漏电极/电极修饰层/半导体层。其中器件可以在硅片上制备，也可以在柔性基板塑料、相片纸等上制备，源漏电极可以是金、银等材料，半导体层可以是并五苯、聚噻吩(P3HT)、聚噻吩衍生物(PTB7)等。其制备方法可以是喷墨打印、丝网印刷等。本发明的方法，操作简单易行、节省材

CN105932156A

ALP3HT

SiO?

s

Au

CN105932156A权利要求书1/1页

2

1.一种印刷制作有机场效应晶体管的方法，其特征在于：采用喷墨打印技术制作有机场效应晶体管，器件结构是底栅底接触结构：栅极/绝缘层/绝缘层修饰层/源漏电极/电极修饰层/半导体层；器件在硅片上制备，或在柔性基板塑料、相片纸上制备。

2.根据权利要求1所述的一种印刷制作有机场效应晶体管的方法，其特征在于：所述器件在硅片上制备，其中硅Si是栅极，二氧化硅Si02是绝缘层；或在柔性基板聚对苯二甲酸乙二醇酯PET或相片纸上先打印银电极或蒸镀金电极作为栅极，再打印聚乙烯吡咯烷酮PVP或其他类似材料作为绝缘层，源漏电极、半导体层也采用打印的方法制备。

3.根据权利要求2所述的一种印刷制作有机场效应晶体管的方法，其特征在于：采用喷墨打印技术制作有机场效应晶体管的步骤是：栅极和源漏电极打印银Ag墨水作为电极，使用压电式喷墨打印机，设置打印点间距，基板温度打印出均匀的薄膜，打印好的电极进行进行退火处理后；再打印聚乙烯吡咯烷酮PVP或其他类似材料作为绝缘层，配制合适打印浓度使其黏度范围8-20cps;最后打印半导体层P3HT,将P3HT溶于邻二氯苯或氯苯，控制浓度黏度，选取合适的点间距使其能够出墨并打印出良好的薄膜；打印后薄膜在干燥箱中进行退火处理。

4.根据权利要求1所述的一种印刷制作有机场效应晶体管的方法，其特征在于：所述的电极修饰层的制作方法是：将(5-溴戊基)三甲基溴化铵(Br(CH?)5N(CH?)?Br)溶于乙醇，再将电极浸泡，取出吹干即可；加入修饰层后改善源漏电极与半导体层间的接触电阻，从而显著提高器件的性能。

CN105932156A说明书1/3页

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一种印刷制作有机场效应晶体管的方法

技术领域

[0001]本发明涉及一种印刷制作有机场效应晶体管的方法，属于有机电子器件应用领域。

背景技术

[0002]在过去半个世纪，微电子技术掀起了人类信息技术的革命，它极大地改变着人们的生活方式和改善人类生活质量。人们无时无刻不感受到微电子给人类社会带来的巨大变化，它已成为蓬勃发展的IT信息产业的核心和基石。

[0003]微图案化加工技术是实现电子器件及其集成加工的必要手段，也是有机电子研究领域的一个热点问题。对于有机场效应晶体管对制造工艺技术的要求，分别考虑到工艺技术的性能、适用性、成本及对环境的友好程度。喷墨技术具有比较全面的性能，它具有良好的图案化成膜能力，工艺简单成本低，适用性强，能精确、定量的将某种溶解的材料沉积到确定位置，且材料的利用率很高，不浪费材料和对环境造成伤害，由于喷墨印刷的这些优势，它被认为是有机薄膜器件制造中代替光刻，实现金属膜的沉积和有源层半导体直接形成图形的技