CN105448697B 高深宽比结构的刻蚀方法及mems器件的制作方法 （中微半导体设备(上海)有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN105448697B公告日2018.05.01

(21)申请号201410345037.8

(22)申请日2014.07.18

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN105448697A

(43)申请公布日2016.03.30

(73)专利权人中微半导体设备(上海)有限公司地址201201上海市浦东新区金桥出口加

工区(南区)泰华路188号

(72)发明人王红超

(74)专利代理机构上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275

代理人吴世华林彦之

(51)Int.CI.

HO1L21/306(2006.01)

B81C1/00(2006.01)

审查员霍淑利

权利要求书2页说明书6页附图6页

(54)发明名称

高深宽比结构的刻蚀方法及MEMS器件的制作方法

(57)摘要

CN105448697B本发明公开了一种高深宽比结构的刻蚀方法，其包括主刻蚀、过渡刻蚀与过刻蚀。其中，主刻蚀工艺刻蚀半导体衬底至目标深度的上方位置时停止，形成第一刻蚀孔；过渡刻蚀控制继续刻蚀半导体衬底至目标深度，形成关键尺寸小于第一刻蚀孔的第二刻蚀孔；过