CN102191485A 一种激光加热生长石墨烯的制作方法 （长春理工大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN102191485A

(43)申请公布日2011.09.21

(21)申请号201110069949.3

(22)申请日2011.03.23

(71)申请人长春理工大学

地址130022吉林省长春市朝阳区卫星路

7089号

(72)发明人李金华崔勇魏志鹏方铉方芳王晓华王菲罗添元

(51)Int.CI.

C23C16/46(2006.01)

C23C16/26(2006.01)

C23C16/02(2006.01)

权利要求书1页说明书3页

(54)发明名称

一种激光加热生长石墨烯的制作方法

(57)摘要

CN102191485A本发明涉及一种在衬底上利用激光辅助加热方法制备大面积单层石墨烯(Graphene)的方法，属于半导体新型材料技术领域。石墨烯是新型的制备电子器件和太阳能电池材料，具有较高的电子传输特性、响应频率好和较宽光波段透明度的性质能够实现高速的电子器件制备的优化和更高光波段透过率的太能电池导电薄膜材料，因此实现大面积生长优质的石墨烯材料对于电子技术和太阳能电池技术的发展具有重要意义。本发明利用激光加热衬底的方法制备石墨烯可以实现对生长区域面积直接加热，没有附加受热面积，可以立刻关闭激光器，快速去除光束，具有降温速度快特点，可以减少不必要的多层石墨烯生长，有效的实现石墨烯单层生长；同时，调整激光光路可以实现在衬底上选择区域进行石墨烯材料生长，改变激光光斑半径，加热衬底生长石墨烯材料，可以得

CN102191485A

CN102191485A权利要求书1/1页

2

1.一种激光加热制备石墨烯材料的方法，其特征在于：具体实施步骤为：

1)将衬底表面镀500nm镍膜退火处理，作为生长石墨烯的催化剂。将衬底放入石英管中，放置温度传感器可以实现对衬底温度的监测，开启激光器，调整激光光路和参数，使其光斑能够均匀对准衬底上选择的区域进行加热。

2)先将氩气通入密封的的石英管中，保持其流量为200sccm,以便排出石英管中的空气，保持30分钟后，将氢气以相同的流量通入密封的石英管中保持五分钟。

3)开启激光器对准选择生长的衬底区域进行加热，当温度传感器显示温度达到900℃,向密封石英管内通入甲烷(CH?)气体作为反应前驱源，氢气作为反映的还原气体，流量均为100sccm,持续3-5分钟进行石墨烯生长。关闭激光器，去除光束，取出样品，自然冷却，得到大面积生长的石墨烯样品。

2.调节激光参数改变激光光斑面积，可以的得到和光斑面积相同的生长石墨烯材料的区域。

3.根据权利要求1所述的大面积单层石墨烯的制备方法，其特征在于调节了激光参数和光路，使激光光斑能够均匀的对准选择的衬底区域进行加热生长，可以连续选择不同的生长区域生长出大面积单层的石墨烯。

4.根据权利要求1所述的大面积单层石墨烯的制备方法，其特征在于采用了激光加热的方法对衬底进行选择生长区域加热，持续3-5分钟，关闭激光器，由于可以快速去除光束，不存在附加的受热区域，迅速降温，而减少不必要的多层石墨烯生长，可以制备出大面积的优质的石墨烯材料。

CN102191485A说明书1/3页

3

一种激光加热生长石墨烯的制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及一种在蓝宝石衬底上利用激光加热方法制备大面积石墨烯(Graphene)的方法，属于半导体新型材料技术领域。

背景技术

[0002]随着电子和新能源利用技术的不断发展发展，对于高速电子器件和太阳能电池的利用要求不断提高；对于制备大面积优质的电子器件和太阳能电池原材料的方法要求越来越高，但是材料的制备技术发展相对缓慢，限制了其发展，严重的制约着科技的进步；因此制备出大面积优质的原材料的方法是电子技术和太阳能电池技术发展的基础。

[0003]石墨烯(Graphene)出现在实验室中是在2004年，是零带隙的二维半导体材料，由碳原子按六边形晶格整齐排布而成的碳单质，石墨烯各个碳原子原子间作用力非常强，连接非常柔韧，当施加外部机械力时，碳原子面就弯曲变形，碳原子就不需要重新排列来适应外力，这也就保证了石墨烯结构非常稳