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- 2026-03-12 发布于重庆
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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN102479785A
(43)申请公布日2012.05.30
(21)申请号201010568070.9
(22)申请日2010.11.29
(71)申请人宏齐科技股份有限公司地址中国台湾新竹市
(72)发明人汪秉龙萧松益郑流仁陈政吉
(74)专利代理机构隆天国际知识产权代理有限公司72003
代理人郑小军冯志云
(51)Int.CI.
HO1L25/075(2006.01)
HO1L33/00(2010.01)
HO1L33/48(2010.01)
HO1L33/50(2010.01)
HO1L33/52(2010.01)
权利要求书3页说明书5页附图12页
(54)发明名称
具有沉积式荧光披覆层的发光结构及其制作方法
(57)摘要
CN102479785A本发明公开一种具有沉积式荧光披覆层的发光结构及其制作方法,该发光结构包括:一基板单元、一发光单元及一封装单元。其中,基板单元具有至少一电路基板。发光单元具有多个电性连接且设置于电路基板上的发光二极管芯片。封装单元具有至少一通过一模具结构而成形的封装胶体,其中封装胶体设置于电路基板上且覆盖上述多个发光二极管芯片,且封装胶体的内部具有至少一通过离心运动而沉积在上述多个发光二极管芯片的外表面上的连续式荧光层。因此,由多个荧
CN102479785A
Z
CN102479785A权利要求书1/3页
2
1.一种具有沉积式荧光披覆层的发光结构,其特征在于,包括:
一基板单元,其具有至少一电路基板;
一发光单元,其具有多个电性连接且设置于上述至少一电路基板上的发光二极管芯片;以及
一封装单元,其具有至少一通过一模具结构而成形的封装胶体,其中上述至少一封装胶体设置于上述至少一电路基板上且覆盖上述多个发光二极管芯片,且上述至少一封装胶体的内部具有至少一通过离心运动而沉积在上述多个发光二极管芯片的外表面上的连续式荧光层。
2.根据权利要求1所述的具有沉积式荧光披覆层的发光结构,其特征在于,上述至少一封装胶体为一由硅胶所成形的透光胶体,上述至少一连续式荧光层由多个混入该透光胶体内的荧光粉所组成。
3.根据权利要求1所述的具有沉积式荧光披覆层的发光结构,其特征在于,上述至少一封装胶体为一由环氧树脂所成形的透光胶体,上述至少一连续式荧光层由多个混入该透光胶体内的荧光粉所组成。
4.根据权利要求1所述的具有沉积式荧光披覆层的发光结构,其特征在于,上述至少一封装胶体具有一底层胶体部及多个一体成型地设置于该底层胶体部上的透镜胶体部,且每一个透镜胶体部对应每一个发光二极管芯片且位于每一个发光二极管芯片的上方。
5.根据权利要求4所述的具有沉积式荧光披覆层的发光结构,其特征在于,该模具结构包括一上模具及一与该上模具相互配合的下模具,该上模具的底部紧贴上述至少一电路基板的底部,该下模具的顶部具有多个相对应上述多个透镜胶体部的透镜凹槽,且每一个透镜胶体部的外表面紧贴每一个透镜凹槽的内表面。
6.根据权利要求5所述的具有沉积式荧光披覆层的发光结构,其特征在于,该上模具的底部具有至少两个第一定位部,且该下模具的顶部具有至少两个分别相对应上述两个第一定位部且分别与上述两个第一定位部相互配合的第二定位部。
7.根据权利要求5所述的具有沉积式荧光披覆层的发光结构,其特征在于,该上模具的底部具有一环绕形的环形凸出体及多个成形于该环形凸出体上的导通槽,且该环形凸出体紧贴于该下模具的上表面。
8.一种具有沉积式荧光披覆层的发光结构的制作方法,其特征在于,包括下列步骤:
(a)提供至少一具有多个发光二极管芯片的电路基板,其中上述多个发光二极管芯片电性连接且设置于上述至少一电路基板上;
(b)提供一模具结构,其具有一上模具及一与该上模具相互配合且彼此分离的下模具,其中该上模具的底部具有一第一容置槽,且该下模具的顶部具有一对应于该第一容置槽的第二容置槽;
(c)将混合有多个荧光粉的液态封装胶体覆盖于上述多个发光二极管芯片上且填充于该下模具的第二容置槽内;
(d)将上述至少一电路基板翻转且设置于该下模具的顶部上,以使得上述多个发光二极管芯片容置于该下模具的第二容置
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