CN102135728A 基于一维软模板纳米压印制作三维纳米网格结构的方法 （大连理工大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN102135728A

(43)申请公布日2011.07.27

(21)申请号201110043750.3

(22)申请日2011.02.23

(71)申请人大连理工大学

地址116100辽宁省大连市

(72)发明人褚金奎孟凡涛王志文韩志涛

(74)专利代理机构大连理工大学专利中心

21200

代理人梅洪玉

(51)Int.CL.

GO3F7/00(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图4页

(54)发明名称

基于一维软模板纳米压印制作三维纳米网格结构的方法

(57)摘要

CN102135728A本发明属于微纳制造技术领域，具体为基于一维软模板纳米压印技术制作大面积三维纳米网格结构的方法。其步骤包括：利用软模板进行第一次纳米压印，然后采用氧RIE刻蚀去除压印胶残留层。利用制作的压印胶图形为掩膜刻蚀基底材料，去胶后得到一维纳米光栅结构。利用与前一次压印和刻蚀工艺相同的参数，进行第二次压印和刻蚀工艺。在第二次压印中，调整模板方向与第一次压印时模板方向呈0°-90°夹角。最终得到具有亚25nm纳米点的三维纳米网格结构。本发明使用的软模板可以有