CN102437054A 晶圆级单轴应变sgoi的制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN102437054A

(43)申请公布日2012.05.02

(21)申请号201110361525.4

(22)申请日2011.11.16

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人郝跃王晓晨戴显英金国强李志王琳张鹤鸣

(51)Int.CI.

HO1L21/324(2006.01)

权利要求书1页说明书6页附图4页

(54)发明名称

晶圆级单轴应变SGOI的制作方法

(57)摘要

CN102437054A本发明公开了一种晶圆级单轴应变SGOI的制作方法，包括以下步骤：1)SGOI晶圆顶层SiGe层面向上或向下放置在弧形弯曲台上；2)两根圆柱形不锈钢压杆分别水平放置在SGOI晶圆两端，距SGOI晶圆边缘1cm;3)缓慢旋动连接压杆的螺帽，使SGOI晶圆沿弧形台面逐渐弯曲，直至SGOI晶圆完全与弧形台面贴合；4)载有SGOI晶圆的弧形弯曲台放置在退火炉中进行退火；5)退火结束后缓慢降温至室温，取出载有SGOI晶圆片的弧形弯曲台；6)旋动连接压杆的螺帽，将压杆缓慢提升，直至弯曲的SGOI晶圆回复原状。本发明具有如下优点：1)